[发明专利]硅片减薄方法及薄硅片

权利要求书

1.一种硅片减薄方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、提供两个未加工硅片，所述未加工硅片具有相对的上表面和下表面，分别定义为第一硅片和第二硅片；

S2、先将所述第一硅片的上表面进行深硅刻蚀，再将所述第一硅片和第二硅片进行热氧处理；

S3、将步骤S2中热氧处理后的第一硅片的上表面与所述第二硅片的下表面键合，得到键合硅片；

S4、将所述键合硅片中的第二硅片进行减薄处理，再在其上表面进行顶硅刻蚀；

S5、将步骤S4中刻蚀后的键合硅片中的第一硅片的下表面进行减薄去硅处理，最后除去氧化层，得到薄硅片。

2.如权利要求1所述的硅片减薄方法，其特征在于，所述薄硅片的厚度为180至200μm。

3.如权利要求2所述的硅片减薄方法，其特征在于，在所述薄硅片的结构中，所述第一硅片的厚度小于第二硅片。

4.如权利要求3所述的硅片减薄方法，其特征在于，在所述薄硅片的结构中，所述第一硅片的厚度为50至90μm，所述第二硅片的厚度为90至130μm。

5.如权利要求1或2或3或4所述的硅片减薄方法，其特征在于，步骤S2中，在所述深硅刻蚀过程中，所述第一硅片的上表面的刻蚀深度为50至90μm。

6.如权利要求1或2或3或4所述的硅片减薄方法，其特征在于，步骤S4中，在所述减薄处理过程中，通过砂轮将所述第二硅片减薄至90至130μm。

7.如权利要求1或2或3或4所述的硅片减薄方法，其特征在于，步骤S4中，在所述顶硅刻蚀过程中，所述第二硅片的上表面的刻蚀深度为与减薄后的第二硅片厚度相同。

8.如权利要求1或2或3或4所述的硅片减薄方法，其特征在于，所述第一硅片和第二硅片为普通硅片。

9.如权利要求8所述的硅片减薄方法，其特征在于，步骤S5中，在所述减薄去硅处理过程中，先通过砂轮将所述第一硅片从下表面减薄至200至300μm，再通过刻蚀或腐蚀工艺将所述第一硅片从下表面减薄至50至90μm。

10.如权利要求1或2或3或4所述的硅片减薄方法，其特征在于，所述第一硅片为SOI硅片，所述第二硅片为普通硅片。

11.如权利要求10所述的硅片减薄方法，其特征在于，步骤S5中，在所述减薄去硅处理过程中，通过砂轮或刻蚀或腐蚀工艺将所述绝缘衬底上硅片减薄至埋氧层。

12.一种由权利要求1至11中任一项所述的硅片减薄方法所制得的薄硅片，其特征在于，所述薄硅片从下到上逐层设置有第一硅片、第一硅片热氧层、第二硅片热氧层以及第二硅片，所述薄硅片的厚度为180至200μm。

13.如权利要求12所述的薄硅片，其特征在于，所述第一硅片的厚度小于第二硅片，所述第一硅片的厚度为50至90μm，所述第二硅片的厚度为90至130μm。