[发明专利]电平移位电路及驱动电路有效
申请号: | 201711376938.3 | 申请日: | 2017-12-19 |
公开(公告)号: | CN108206685B | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 外园和也;山本晃央;王东 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H03K17/0812 | 分类号: | H03K17/0812;H03K17/0814 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电平 移位 电路 驱动 | ||
得到一种具有电绝缘性、小型且低价的电平移位电路及驱动电路。电热变换元件(5)将以第一基准电位为基准的第一电信号变换为热。热电变换元件(6)将来自电热变换元件(5)的热变换为以与第一基准电位不同的第二基准电位为基准的第二电信号。绝缘区域(7)将电热变换元件(5)和热电变换元件(6)电绝缘。
技术领域
本发明涉及一种电平移位电路及驱动电路。
背景技术
在逆变器装置等的驱动电路中,为了对高电位侧半导体开关元件进行驱动,使用了将低电位侧的驱动信号进行电平移位而使该驱动信号移位至高电位侧的电平移位电路。通常来说,在电平移位电路中使用HVIC(High Voltage Integrated Circuit)、光电耦合器、微型变压器等(例如,参照专利文献1)。
HVIC通过PN结隔离而构成,通过MOSFET等半导体元件电气地对信号进行传递。光电耦合器由发光二极管等发光元件、光电晶体管等受光元件构成,将电信号变换为光而进行传递。微型变压器由线圈构成,将电信号变换为磁而进行传递。
专利文献1:日本特开2003-115752号公报
但是,就HVIC而言,高电位侧和低电位侧没有电绝缘,因此高电位侧的噪声有时传递至低电位侧。光电耦合器是发光元件和受光元件的双芯片结构,因此难以小型化。微型变压器与光电耦合器同样地,是多芯片结构,难以小型化,并且与HVIC及光电耦合器相比价格高。
发明内容
本发明就是为了解决上述这样的课题而提出的,其目的在于得到一种具有电绝缘性、小型且低价的电平移位电路及驱动电路。
本发明所涉及的电平移位电路的特征在于,具有:电热变换元件,其将以第一基准电位为基准的第一电信号变换为热;热电变换元件,其将来自所述电热变换元件的所述热变换为以与所述第一基准电位不同的第二基准电位为基准的第二电信号;以及绝缘区域,其将所述电热变换元件和所述热电变换元件电绝缘。
发明的效果
在本发明中,将电信号变换为热,在通过绝缘区域进行了电绝缘的不同的基准电位间传递热而进行信号传递。由于被电绝缘,因此高电位侧的噪声不会传递至低电位侧。另外,由于能够由单个芯片构成,因此能够集成化,能够实现小型化。并且,能够通过低价的半导体工艺而实现。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式1所涉及的驱动电路的框图。
图2是表示本发明的实施方式1所涉及的电平移位电路的电路图。
图3是表示本发明的实施方式1所涉及的导热部的第一例的剖视图。
图4是表示本发明的实施方式1所涉及的导热部的第二例的剖视图。
图5是表示本发明的实施方式2所涉及的驱动电路的框图。
图6是表示本发明的实施方式2所涉及的电平移位电路及次级侧电路的电路图。
图7是表示本发明的实施方式3所涉及的电平移位电路及次级侧电路的电路图。
图8是表示本发明的实施方式4所涉及的驱动电路的电路图。
图9是表示本发明的实施方式5所涉及的驱动电路的电路图。
图10是表示本发明的实施方式6所涉及的驱动电路的电路图。
图11是表示本发明的实施方式7所涉及的驱动电路的框图。
图12是表示本发明的实施方式7所涉及的驱动电路的电路图。
标号的说明
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