[发明专利]一种化学改性凹土基多孔陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种化学改性凹土基多孔陶瓷，包括以下制备步骤：

步骤1)：凹土基多孔陶瓷的制备

先将有机泡沫加工成制品，并将水加入到凹土中制成浆料，然后给制品上浆、辊压、在60～120℃下干燥、喷浆，最后在500～1500℃下煅烧，制得凹土基多孔陶瓷，其中凹土与有机泡沫、水的质量比为1：0.05～1：0.2～10；

步骤2)：凹土基多孔陶瓷的羟基化处理

将凹土基多孔陶瓷浸渍到碱液中，在20～100℃下搅拌0.5～24h，反应后洗涤至表面呈中性，制得羟基化凹土基多孔陶瓷，其中碱液的浓度为0.5～20mol/L，凹土基多孔陶瓷与碱液的质量比为0.05～0.25：1；

步骤3)：羟基化凹土基多孔陶瓷的化学改性

将羟基化凹土基多孔陶瓷加入到去离子水中，羟基化凹土基多孔陶瓷与去离子水的质量比为0.05～0.5：1，然后将改性剂的乙醇溶液加入，改性剂与羟基化凹土基多孔陶瓷的质量比为0.01～0.1：1，改性温度控制在20～100℃，反应0.1～12h，经洗涤、干燥，制得经化学改性的羟基化凹土基多孔陶瓷。

2.权利要求1所述化学改性凹土基多孔陶瓷，其特征在于，所述有机泡沫为聚氨酯泡沫、聚氯乙烯泡沫、聚苯乙烯泡沫、胶乳泡沫、纤维素泡沫中的至少一种。

3.权利要求1所述化学改性凹土基多孔陶瓷，其特征在于，所述碱为氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化锂中的至少一种。

4.权利要求1所述化学改性凹土基多孔陶瓷，其特征在于，所述硅烷偶联剂、甲基氯硅烷、苯基氯硅烷、乙烯基氯硅烷、氨基氯硅烷、甲基烷氧基硅烷、苯基烷氧基硅烷、乙烯基烷氧基硅烷、氨基烷氧基硅烷、氢基烷氧基硅烷、磺酸基烷氧基硅烷、异氰酸基烷氧基硅烷中的至少一种。