[发明专利]一种硅片清洗方法

权利要求书

1.一种硅片清洗方法，所述方法包括：

对硅片进行初级清洗；

采用HF溶液对经过初级清洗的硅片进行清洗；

将经过HF溶液清洗后的硅片放入一定温度的纯水中，放置一段时间；以及

将硅片从纯水中取出，采用DHF溶液对硅片进行清洗。

2.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其中，所述HF溶液的体积百分比为0.1～10％，采用HF溶液清洗的浸泡时间为1-10min。

3.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其中，所述纯水为电阻率＞18MΩ·cm的超纯水，纯水的温度为60-90℃，硅片在纯水中放置的时间为10-60分钟。

4.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，在采用HF溶液清洗后，将硅片放入纯水中前，所述方法还包括：

采用强氧化剂溶液对硅片进行清洗；以及

采用HF溶液对经过强氧化剂溶液清洗后的硅片进行清洗。

5.根据权利要求4所述的硅片清洗方法，其中，重复进行采用强氧化剂溶液清洗和采用HF溶液清洗的两个步骤，任选地，重复次数为1-10次。

6.根据权利要求4或5所述的硅片清洗方法，其中，所述强氧化剂溶液为HNO₃和H₂O₂的混合溶液，混合溶液中HNO₃：H₂O₂的体积比为3:1-8:1，混合溶液的温度为65-90℃，强氧化剂溶液清洗的浸泡时间为15-60分钟。

7.根据权利要求4或5所述的硅片清洗方法，其中，采用强氧化剂溶液清洗之后采用的HF溶液的体积百分比为0.1～10％，采用HF溶液清洗的浸泡时间为1-10min。

8.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其中，所述DHF溶液为HF与HCl的混合溶液，混合溶液中HF的体积百分比为0.5-5％，HCl的体积百分比为3-10％，DHF溶液清洗的浸泡时间为5-30分钟。

9.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其中，对硅片进行初级清洗的步骤为：

采用SC2溶液对硅片进行清洗；

采用CP溶液对硅片进行清洗；以及

采用SC1溶液对硅片进行清洗。

10.根据权利要求9所述的硅片清洗方法，其中，所述SC2溶液为HCl与双氧水的混合溶液，混合溶液中HCl：双氧水：水的体积比为1:1:7-1:2:7，SC2溶液清洗的浸泡时间为5-20min。

11.根据权利要求9所述的硅片清洗方法，其中，所述CP溶液为HF与HNO₃的混合溶液，混合溶液中HF：HNO₃的体积比为0.1:100-2:100，CP溶液清洗的浸泡时间为1-5min。

12.根据权利要求9所述的硅片清洗方法，其中，所述SC1溶液为氨水与双氧水的混合溶液，混合溶液中氨水：双氧水：水的体积比为1:1:7-1:2:7，SC2溶液清洗的浸泡时间为5-20min。