[发明专利]一种大晶粒钙钛矿薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201711378815.3 | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN108054284A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 王世荣;蔡颖;李祥高;肖殷 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/46 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300350 天津市津南区海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶粒 钙钛矿 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种大晶粒钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
(1)按照化学通式FA
(2)按照前驱体材料与溶剂的质量比为30％～60％的比例，取相应量溶剂作为钙钛矿前驱液；
(3)将步骤(1)中的前驱体材料溶于(2)中的前驱液中，形成黄色钙钛矿溶液；
(4)称取前驱体材料的摩尔量比例为1～20％的Pb(SCN)
(5)将步骤(4)所得钙钛矿溶液在磁力搅拌条件下，在室温下保持2～4小时；
(6)将所述步骤(5)所得前驱体溶液滴至准备好的基底上，旋涂得到钙钛矿膜，旋涂过程分为两个阶段，1000～2000rpm旋转8～10s后调整速度4000～7000rpm旋转20～30s，在快速旋涂阶段滴入80～100μL氯苯；
(7)将钙钛矿薄膜在热台上加热，钙钛矿薄膜由黄色变成深棕色，伴有大晶粒形成。
2.根据权利要求书1所述的方法，其特征在于所述步骤(2)中选取的溶剂为DMSO、DMF的一种或者两者的混合溶剂。
3.根据权利要求书1所述的方法，其特征在于所述步骤(6)中滴入氯苯时间为10～30s。
4.根据权利要求书1所述的方法，其特征在于所述步骤(7)中加热温度为50～120℃。
5.根据权利要求书1或4所述的方法，其特征在于所述步骤(7)中加热时间为30～90min。
6.根据权利要求书1所述的方法，其特征在于所述步骤(7)中晶粒尺寸为100～800nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
