[发明专利]一种半导体硅片研磨液稳定性控制方法有效
申请号: | 201711379751.9 | 申请日: | 2017-12-20 |
公开(公告)号: | CN108165177B | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 刘尊妍;张俊宝;陈猛 | 申请(专利权)人: | 重庆超硅半导体有限公司 |
主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02;C09K3/14 |
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地址: | 400714 重庆市北碚区*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 硅片 研磨 稳定性 控制 方法 | ||
本发明提供了一种半导体硅片研磨液稳定性控制方法,其特征在于,混合磨砂由ɑ‑Al2O3、ZrO2和SiO2三种磨粒组成,成分范围为:ɑ‑Al2O3:50‑90wt%,ZrO2:5‑45wt%,SiO2:余量,且小于10%,三种磨粒为球形和不规则形状,研磨液由磨砂、悬浮剂、防锈剂和工业用超纯水组成,研磨液比重为1.175 g/cm3。在研磨过程中,当研磨液的比重降低为1.05 g/cm3时,加入磨砂、悬浮剂、防锈剂和工业用超纯水,调整比重达到1.175 g/cm3再继续使用。本发明通过控制磨粒的材质、配比、制备方法、形状;研磨液配制方法和使用方法,达到研磨液性能稳定,加工出性能优异的高质量硅片。
技术领域
本发明涉及一种半导体单晶硅片加工制造技术领域,具体为硅片研磨工艺中所用研磨液的稳定性控制方法。
背景技术
在半导体单晶硅片制造工艺中,在晶锭切片之后进行表面研磨加工,其主要目的是为了去除在线切割工序中硅片表面产生的切痕、机械应力损伤层,使硅片厚度更加均匀一致,消除多线切割工序中硅片产生的BOW和WARP,获得厚度均匀一致,表面平坦度高的单晶硅片。硅片平坦度、BOW和WARP在研磨工序过后最好,因此研磨工序是保持硅片质量最关键的工序。而在这一工序中,研磨液的质量是保证研磨质量的核心技术之一。
一般地,研磨液由磨砂、表面活性剂和水等组成,其中起研磨作用的主要是磨砂(或称磨粒)。磨粒的种类、添加量、粒度、形状等各项参数将影响研磨的效率与硅片的品质。在现有技术中,研磨液中的粉体磨粒大多由普通物理破碎方法获得,磨粒为带棱角的多角形不规则形状,随着研磨的进行,磨粒的棱角将被逐渐磨损,其几何形状将随着磨损的发生虽然越来越趋近于等径形颗粒,但仍有非常大的不确定性。在这一过程中,初始时由于磨粒的棱角较多,磨粒的磨削力最大;但是随着研磨的进行,磨粒的棱角降低,磨粒的磨削力不规则降低,造成研磨液在研磨后期研磨性能逐渐弱化,甚至达不到研磨效果,使研磨难以控制,研磨出的硅片质量不稳定。且磨粒尖锐锋利的棱角可能造成硅片表面划伤,直接影响硅片良品率。在研磨过程中,不规则的磨粒被磨损后其形状也千差万别,对硅片产生不可预见的影响,而这些影响要在后续的加工中才能逐步体现出来,并且这些损伤难以补救。
发明内容
本发明针对现有技术中研磨液性能不稳定,随着研磨的进行而逐步改变,对硅片产生不可预见损伤的问题,提供一种半导体硅片研磨液稳定性控制方法。通过控制磨粒的材质、配比、制备方法、粒度、形状;研磨液配制方法和使用方法,达到研磨液性能稳定,加工出的硅片性能优异。本发明提供的一种半导体硅片研磨液稳定性控制方法,通过以下技术方案实现:
本发明的特征在于,混合磨砂由ɑ-Al2O3、ZrO2和SiO2三种磨粒组成,成分范围为:
ɑ-Al2O3:50-90 wt%,ZrO2:5-45 wt%,SiO2:余量,且小于10%,三种磨粒为球形和不规则形状。研磨液由磨砂、悬浮剂、防锈剂和工业用超纯水组成,研磨液比重为1.175 g/cm3。在研磨过程中,当研磨液的比重降低为1.05 g/cm3时,加入磨砂、悬浮剂、防锈剂和工业用超纯水,调整比重达到1.175 g/cm3再继续使用。
本发明专利ɑ-Al2O3、ZrO2和SiO2三种球形磨粒,其特征在于:磨粒的粒径D50=7.5µm,并且大于10.0µm的磨粒和小于5.0µm的磨粒都滤除。
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