[发明专利]基准电压电路与集成电路有效

专利信息
申请号: 201711380193.8 申请日: 2017-12-19
公开(公告)号: CN107870649B 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 胡术云;崔瑜强;毕磊;毕超 申请(专利权)人: 峰岹科技(深圳)股份有限公司
主分类号: G05F1/569 分类号: G05F1/569;G05F1/567
代理公司: 深圳市恒程创新知识产权代理有限公司 44542 代理人: 赵爱蓉
地址: 518000 广东省深圳市南山区高新中区科*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 基准 电压 电路 集成电路
【权利要求书】:

1.一种基准电压电路,其特征在于,包括:

启动电路,与第一电源连接,所述启动电路在启动后预设时间关闭;

主体电路,与所述启动电路电连接,用以在所述启动电路的触发下启动,输出基准电压;

过冲保护电路,与所述启动电路电连接;所述过冲保护电路在所述启动电路启动时,关闭所述主体电路的输出;在所述启动电路关闭后,开启所述主体电路的输出;

所述过冲保护电路包括第五电子开关、第六电子开关、第七电子开关、第二储能元件、以及用于控制所述主体电路输出的开关模块;所述第二储能元件与所述开关模块连接,以控制所述开关模块的状态;

所述第五电子开关与所述启动电路以及所述主体电路电连接;在所述启动电路开启时,所述第五电子开关工作,以关闭所述主体电路的输出;

所述第六电子开关与所述启动电路、以及第二储能元件电连接;在所述启动电路开启时,控制所述第二储能元件放电;

所述第七电子开关与所述主体电路、以及所述第二储能元件电连接;在所述启动电路关闭时,控制所述第二储能元件充电,且在所述第二储能元件的充电电压到预设电压值后,控制所述开关模块导通,以开启所述主体电路的输出。

2.如权利要求1所述的基准电压电路,其特征在于,所述启动电路包括触发端、第一电子开关、第二电子开关、第三电子开关以及第一储能元件;

所述触发端与第一电子开关、以及第三电子开关电连接,所述第三电子开关与所述主体电路电连接;所述触发端输入所述第一电源的电源信号,以控制所述第一电子开关以及所述第三电子开关工作,从而控制所述主体电路启动;

所述第一储能元件、所述第三电子开关和第二电子开关相互电连接,所述第三电子开关工作时,控制所述第一储能元件充电,在所述第一储能元件的充电电压达到预设电压值时,控制所述第二电子开关导通;

所述第二电子开关与所述第一电子开关电连接,当所述第二电子开关导通时,所述第一电子开关关闭,以关闭所述启动电路。

3.如权利要求2所述的基准电压电路,其特征在于,所述触发端经过所述第一电阻与所述第一电源连接;所述第一电子开关为第一NMOS管、第二电子开关为第二NMOS管,所述第三电子开关为第一PMOS管;

所述第一电阻的第一端与电源连接,所述第一电阻的第二端与所述第一NMOS管的栅极连接,所述第一NMOS管的源极接地,所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的栅极连接,所述第一PMOS管的源极与第二电源连接,所述第一PMOS管的漏极与所述第一储能元件的第一端连接,所述第一储能元件的第二端接地;

所述第一储能元件的第一端与所述第二NMOS管的栅极连接,所述第二NMOS管的源极接地,且所述第二NMOS管的漏极与所述第一电阻的第二端、所述第一NMOS管的栅极互连。

4.如权利要求3所述的基准电压电路,其特征在于,所述第一储能元件为带寄生电容的第三NMOS管,且所述第三NMOS管的栅极与其自身栅极、以及第二NMOS管的栅极、第一PMOS管的漏极连接,所述第三NMOS管的漏极接地。

5.如权利要求1所述的基准电压电路,其特征在于,所述第五电子开关为第四NMOS管,第六电子开关为第五NMOS管,第七电子开关为第二PMOS管;

所述开关模块包括反相器和第三PMOS管;所述启动电路具有触发端,且所述启动电路包括第一电阻,所述触发端经过所述第一电阻与电源连接;

所述第四NMOS管的栅极与所述启动电路的触发端连接,其源极接地,漏极与所述主体电路的输出端连接;所述第五NMOS管的栅极与所述触发端连接,其源极接地,其漏极与所述第二储能元件的第一端连接;

所述主体电路包括电流镜,所述第二PMOS管是所述电流镜的镜像,所述第二PMOS管的栅极与所述的电流镜栅极连接;第二PMOS管的源极与第三电源连接,第二PMOS管的漏极与所述第二储能元件的第一端连接;

所述第二储能元件的第一端与所述反向器的输入端连接,所述反相器的输出端所述第三PMOS管的栅极连接,所述第三PMOS管的源极与所述的电流镜的漏极连接,所述第三PMOS管的漏极为所述主体电路的输出端。

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