[发明专利]一种嵌入钌硅复合氧化物的镍基活性电极材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201711380239.6 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108048870B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 王欣;唐电;刘雪华;周迎朝;张腾;邹翔达;李国荣;王启凡;唐中帜;周杨杰 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | C25B11/06 | 分类号： | C25B11/06;C25B1/04;C25D15/00 |
| 代理公司： | 35100 福州元创专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350116 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 嵌入 复合 氧化物 活性 电极 材料 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种嵌入钌硅复合氧化物的镍基活性电极材料的制备方法，其特征在于：具体制备步骤如下：
1）镍基材处理：采用工业纯镍，镍网或镍板材；经洗涤去脂，在6 M的硫酸水溶液中刻蚀1小时，去离子水冲洗，干燥；
2）电镀液配制： 在含有1.2 M 六水合硫酸镍，0.18 M六水合氯化镍，0.45 M 硼酸的电镀液中加入30 g·L-1 钌硅复合氧化物，其中Si∶Si+Ru摩尔比为0.18～0.22∶1；
3）电镀：将步骤（1）得到的镍基材浸入电镀液中，对电镀液采用机械搅拌，镀液pH值控制在4.4～4.6，镀槽温度50 ℃，电流密度40 mA·cm-2，电量110 C·cm-2，制成嵌入钌硅复合氧化物的镍基活性电极材料；嵌入钌硅复合氧化物的平均粒径为12 nm。
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