[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

一基底，其中所述基底的上方包括一第一区域以及一第二区域；

一第一III-V族化合物层，设置于所述第一区域内；

一第二III-V族化合物层，设置于所述第一III-V族化合物层上，其中一第一载子通道形成于所述第一III-V族化合物层以及所述第二III-V族化合物层之间的一界面上，其中所述第二III-V族化合物层具有一第一厚度；

一第三III-V族化合物层，设置于所述第二区域内；以及

一第四III-V族化合物层，设置于所述第三III-V族化合物层上，其中一第二载子通道形成于所述第四III-V族化合物层与所述第三III-V族化合物层之间的一界面上，其中所述第四III-V族化合物层具有一第二厚度，其中所述第二厚度小于所述第一厚度，其中一电阻形成于所述第二区域中，其中所述电阻的一导电率与所述第二厚度呈正相关，其中所述电阻的一电阻值与所述第二厚度呈负相关。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，更包括：

一绝缘层，形成于所述第一区域以及所述第二区域之间。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘层是利用台面刻蚀而形成。

4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘层是将氧气或氮气植入所述第一区域以及所述第二区域的III-V族化合物层而形成。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一III-V族化合物层与所述第三III-V族化合物层的组成相同。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第二III-V族化合物层与所述第四III-V族化合物层的组成相同。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一III-V族化合物层及所述第三III-V族化合物层包含GaN，所述第二III-V族化合物层及所述第四III-V族化合物层包含AlxGa1-xN，且0x1。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，更包括：

一栅极结构，设置于所述第二III-V族化合物层上；

一源极区；以及

一漏极区，其中所述源极区以及所述漏极区分别设置于所述栅极结构的相对两侧且位于所述第一III-V族化合物层上，其中所述第一载子通道延伸于所述源极区与所述漏极区之间。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，一高速电子移动晶体管元件形成于所述第一区域中。

10.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，更包括：

一第一电极区，设置于所述第三III-V族化合物层上；以及

一第二电极区，设置于所述第三III-V族化合物层上，其中所述第二载子通道延伸于所述第一电极区与所述第二电极区之间。

11.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电极区以及所述第二电极区的一个与所述源极区电连接。

12.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电极区以及所述第二电极区的一个与所述漏极区电连接。