[发明专利]一种温度补偿的电流产生电路有效
| 申请号： | 201711381800.2 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108170198B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 陈丹凤 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电流产生电路 温度补偿 运算放大器 温度系数 电阻 负反馈作用 端电压 反相输入 基础元件 稳定电流 减小 电路 相抵 | ||
1.一种温度补偿的电流产生电路，其特征在于，包括：第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、电阻及运算放大器；其中：
所述第一MOS管的源极接收第一电源电压；
所述第一MOS管的栅极和漏极，与所述第二MOS管的源极和所述运算放大器的反相输入端相连；
所述第二MOS管的栅极和漏极，与所述电阻的一端相连；
所述电阻的另一端与所述运算放大器的同相输入端及所述第三MOS管的漏极相连；
所述第三MOS管的栅极与所述运算放大器的输出端相连；
所述第三MOS管的源极接收第二电源电压；
所述第一MOS管和所述第二MOS管之间的电压通过所述运算放大器的负反馈作用加到所述电阻上，且所述第一MOS管和所述第二MOS管之间的电压的温度系数与所述电阻的温度系数相抵；
所述第一MOS管和所述第二MOS管之间的电压的计算公式为：
VC＝V1/2－[nkln(a/b)/2q]T；
其中，VC为所述第一MOS管和所述第二MOS管之间的电压，V1为所述第一电源电压，n是一个和偏置电压相关的修正因子，k是波尔兹曼常数，q是电子的电量，a/b是所述第二MOS管与所述第一MOS管的比值，T是温度。
2.根据权利要求1所述的温度补偿的电流产生电路，其特征在于，所述第一MOS管与所述第二MOS管均工作在亚阈值区。
3.根据权利要求1所述的温度补偿的电流产生电路，其特征在于，所述第一电源电压不随温度变化，所述第二MOS管与所述第一MOS管的比值a/b可调，以实现所述第一MOS管和所述第二MOS管之间的电压的温度系数与所述电阻的温度系数相抵。
4.根据权利要求3所述的温度补偿的电流产生电路，其特征在于，所述第二MOS管与所述第一MOS管的比值a/b的计算公式为：
a/b＝(W2/L2)/(W1/L1)；
其中，W1是第一MOS管的宽，L1是第一MOS管的长，W2是第二MOS管的宽，L2是第二MOS管的长。
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