[发明专利]像素结构及像素结构制造方法

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，用于具有一基板的一显示器面板中，该像素结构包含：

一开关元件，包含：

一栅极电极，设置于该基板上；

一第一介电层，设置于该栅极电极上；

一半导体层，设置于该第一介电层上；以及

一漏极电极与一源极电极，设置于该半导体层上，该第一介电层具有等于或大于8的介电常数；

一储存电容，包含一第一电容电极、一第二电容电极、一第三电容电极、一钝化层以及一第二介电层，该钝化层设置于该第二电容电极与该第三电容电极之间，该第二介电层设置于该第一电容电极与该第二电容电极之间，该第二介电层具有等于或大于8的介电常数；

一第一信号线，电性连接至该源极电极；

一第二信号线，电性连接至该栅极电极；以及

一共用线，电性连接至该储存电容，其中该第一信号线、该第二信号线以及该共用线中的两者于一跨越区彼此跨越于一第三介电层上方，该第三介电层具有等于或小于5的介电常数。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该开关元件更包含一绝缘层，该绝缘层设置于该第一介电层与该半导体层之间。

3.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，该开关元件更包含：

另一钝化层，设置于该漏极电极与该源极电极上，以及

一第二栅极电极，设置于该另一钝化层上，该第二栅极电极电性通过一通孔连接至该栅极电极。

4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一信号线以及该第二信号线于一第一跨越区彼此跨越，且该共用线以及该第二信号线于一第二跨越区彼此跨越，且其中该第三介电层至少在该第一跨越区设置于该第一信号线以及该第二信号线之间，以及至少在该第二跨越区设置于该共用线以及该第二信号线之间。

5.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一信号线以及该第二信号线于一第一跨越区彼此跨越，且该共用线以及该第一信号线于一第二跨越区彼此跨越，且其中该第三介电层至少在该第一跨越区设置于该第一信号线以及该第二信号线之间，以及至少在该第二跨越区设置于该共用线以及该第一信号线之间。

6.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，更包含：

一第四介电层，设置于该第二信号线上；以及

另一钝化层，设置于该第四介电层上以及该共用线上，该第四介电层具有等于或大于8的介电常数，其中该第一信号线以及该第二信号线于一第一跨越区彼此跨越，且该共用线以及该第一信号线于一第二跨越区彼此跨越，且其中

该第三介电层至少在该第一跨越区设置于该另一钝化层上并介于该第一信号线与该第二信号线之间，以及至少在该第二跨越区设置于该另一钝化层上并介于该共用线与该第一信号线之间。

7.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，更包含：

一第四介电层，设置于该第二信号线上与该共用线上；以及

另一钝化层，设置于该第四介电层上，该第四介电层具有等于或大于8的介电常数，其中该第一信号线以及该第二信号线于一第一跨越区彼此跨越，且其中

该第三介电层至少在该第一跨越区设置于该另一钝化层上并介于该第一信号线以及该第二信号线之间。

8.如权利要求7所述的像素结构，其特征在于，该共用线与该第一信号线于一第二跨越区彼此跨越，且其中

该第三介电层至少在该第二跨越区设置于该另一钝化层上并介于该共用线与该第一信号线之间。

9.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，更包含：

一像素电极，电性连接至该漏极电极，其中该第三电容电极电性连接至该像素电极，该第二电容电极电性连接至该共用线，以及该第一电容电极通过一通孔电性连接至该第三电容电极。

10.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一电容电极电性连接至该共用线，该第二电容电极电性连接至该漏极电极，且该第一电容电极通过一通孔电性连接至该第三电容电极。