[发明专利]基于SiC的多色LED芯片

说明书

技术领域

本发明属于LED芯片技术领域，具体涉及一种基于SiC的多色LED芯片。

背景技术

RGBY是新一代液晶技术，四原色技术的一种。RGBY是在传统的三原色组成像素的基础上，再增加一个黄色的子像素，形成RGBY四色像素。因为增加了黄色Y，从而拉大了整个色域，使得使得屏幕可以更加生动地再现黄色、金色这些依靠传统RGB三原色技术难以真实再现的色彩，使画面颜色看起来更多细节、更接近人眼所看到的真实色彩；四原色可以展现高明亮度，提高光利用率，一定程度上降低了整个显示屏的功耗。

现有技术中的RGBY四基色技术是将RGB三色芯片和用于发出白光的LED芯片封装在一起，当灯珠要显示白光时，可以利用高功率白光替代显示过程中需RGB组合所产生的白光。但是采用封装技术会导致多种芯片混合，存在可靠性差，封装难度大的问题。

因此，如何提供一种结构简单、高可靠性的基于SiC的多色LED芯片已经成为研究的热点问题。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种基于SiC的多色LED芯片。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

本发明实施例提供了一种基于SiC的多色LED芯片，包括：蓝光芯片结构10，嵌入所述蓝光芯片结构10内的红光芯片结构20、绿光芯片结构30、黄光芯片结构40，其中，所述红光芯片结构20、所述绿光芯片结构30、所述黄光芯片结构40的底部均位于所述蓝光芯片结构10的缓冲层101内。

在本发明的一个实施例中，所述蓝光芯片结构10包括依次层叠设置的SiC衬底11、蓝光GaN缓冲层101、蓝光GaN稳定层102、蓝光n型GaN层103、蓝光有源层104、蓝光p型AlGaN阻挡层105、蓝光p型GaN层106。

在本发明的一个实施例中，所述蓝光芯片结构10、所述红光芯片结构20、所述绿光芯片结构30、所述黄光芯片结构40之间采用SiO2材料作为隔离层。

在本发明的一个实施例中，所述蓝光芯片结构10、所述红光芯片结构20、所述绿光芯片结构30、所述黄光芯片结构40的截面均为矩形。

在本发明的一个实施例中，所述蓝光芯片结构10、所述红光芯片结构20、所述绿光芯片结构30、所述黄光芯片结构40依次相邻成线性排列。

在本发明的一个实施例中，所述蓝光芯片结构10、所述红光芯片结构20、所述绿光芯片结构30、所述黄光芯片结构40的截面呈正方形排列。

在本发明的一个实施例中，所述矩形的长和宽均大于50微米，小于300微米。

在本发明的一个实施例中，所述矩形的长和宽均等于100微米。

在本发明的一个实施例中，还包括上电极51和下电极52。

本发明的有益效果：

本发明实施例提供一种基于SiC的多色LED芯片，该基于SiC的多色LED芯片结构简单、集成度高、成本低、色温调节灵活、占用面积小。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种基于SiC的多色LED芯片的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种蓝光芯片结构的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种蓝光InGaN/GaN多量子阱结构示意图；

图4为本发明实施例提供的一种红光芯片槽的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的一种红光芯片结构的结构示意图；

图6为本发明实施例提供的一种红光GalnP/A1GaInP多量子阱结构示意图；

图7为本发明实施例提供的一种绿光芯片槽的结构示意图；

图8为本发明实施例提供的一种绿光芯片结构30的结构示意图；

图9为本发明实施例提供的一种绿光InGaN/GaN多量子阱结构示意图；

图10为本发明实施例提供的一种黄光芯片槽的结构示意图；

图11为本发明实施例提供的一种黄光芯片结构40的结构示意图；

图12为本发明实施例提供的一种黄光InGaN/GaN多量子阱结构示意图；

图13为本发明实施例提供的一种基于SiC的多色LED芯片的俯视截面结构示意图；

图14为本发明实施例提供的一种基于SiC的多色LED芯片的侧视截面结构示意图；

图15为本发明实施例提供的另一种基于SiC的多色LED芯片的俯视截面结构示意图；

图16为本发明实施例提供的另一种基于SiC的多色LED芯片的侧视截面结构示意图；

图17为本发明实施例提供的再一种基于SiC的多色LED芯片的俯视截面结构示意图；