[发明专利]一种双色LED芯片的制备方法及结构

权利要求书

1.一种双色LED芯片的制备方法，其特征在于：包括：

(a)在衬底上生长蓝光材料；

(b)在所述蓝光材料上制备多个绿光灯芯槽，所述蓝光材料形成多个蓝光结构；

(c)在所述绿光灯芯槽内生长绿光材料，所述绿光材料形成多个绿光结构；

(d)制作电极；

其中，步骤(a)包括：

(a1)选取蓝宝石衬底；

(a2)在所述蓝宝石衬底表面生长第一GaN缓冲层；

(a3)在所述第一GaN缓冲层表面生长第一GaN稳定层；

(a4)在所述第一GaN稳定层表面生长第一n型GaN层；

(a5)在所述第一n型GaN层表面制备第一InGaN/GaN多量子阱结构作为第一有源层；所述第一InGaN/GaN多量子阱结构中In的含量为10～20％；

(a6)在所述第一有源层表面生长第一p型AlGaN阻挡层；

(a7)在所述第一p型AlGaN阻挡层表面生长第一p型GaN层；

步骤(b)包括：

(b1)在所述第一p型GaN层表面上沉积一层第一氧化层；

(b2)利用湿法刻蚀工艺，在所述第一氧化层上刻蚀出矩形窗口；

(b3)利用干法刻蚀工艺，刻蚀所述矩形窗口以下的层材料直到所述第一GaN缓冲层内以形成槽体；

(b4)去掉所述第一氧化层，再沉积一层第二氧化层；

(b5)利用干法刻蚀工艺，刻蚀掉表面所述第二氧化层，在所述槽体四周形成氧化隔离层；

步骤(c)包括：

(c1)在所述绿光灯芯槽中生长第二GaN缓冲层；

(c2)在所述第二GaN缓冲层表面生长第二GaN稳定层；

(c3)在所述第二GaN稳定层表面生长第二n型GaN层；

(c4)在所述第二n型GaN层表面制备第二InGaN/GaN多量子阱结构作为第二有源层；所述第一InGaN/GaN多量子阱结构中In的含量为20～30％；

(c5)在所述第二有源层表面生长第二p型AlGaN阻挡层；

(c6)在所述第二p型AlGaN阻挡层表面生长第二p型GaN层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述矩形窗口的长大于50μm，小于300μm，所述矩形窗口的宽大于50μm，小于300μm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二氧化层的厚度为20～100nm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二氧化层的材料为SiO₂。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤(d)包括：

(d1)在所述第一GaN稳定层上形成下电极接触窗口并在所述第一p型GaN层和所述第二p型GaN层上分别形成上电极接触窗口；

(d2)蒸镀金属氧化物电极；

(d3)淀积金属并光刻引线以完成制备电极。

6.一种双色LED芯片结构，其特征在于，所述LED芯片结构由权利要求1-5任一项所述的方法制备形成。