[发明专利]基于横向排布的四色LED器件

权利要求书

1.一种基于横向排布的四色LED器件，其特征在于，包括：

蓝宝石衬底(11)；

第一蓝光外延层(10A)和第二蓝光外延层(10B)，分别设置于所述蓝宝石衬底(11)上，其中，所述第一蓝光外延层(10A)和所述第二蓝光外延层(10B)的底部相连形成凹槽；

黄光外延层(20)、绿光外延层(30)、红光外延层(40)，依次横向设置于所述凹槽内；

多个正电极，分别设置于所述第一蓝光外延层(10A)、所述黄光外延层(20)、所述绿光外延层(30)、所述红光外延层(40)以及所述第二蓝光外延层(10B)上；

钝化层(107)，设置于所述第一蓝光外延层(10A)、所述黄光外延层(20)、所述绿光外延层(30)、所述红光外延层(40)、所述第二蓝光外延层(10B)以及所述多个正电极上。

2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，第一蓝光外延层(10A)和第二蓝光外延层(10B)的材料相同，包括：第一GaN缓冲层(101)、第一GaN稳定层(102)、第一n型GaN层(103)、第一多量子阱层(104)、第一AlGaN阻挡层(105)以及第一p型GaN(106)；其中，所述第一多量子阱层(104)为第一GaN势垒层(104a)和第一InGaN量子阱层(101b)依次周期性层叠分布。

3.如权利要求2所述的器件，其特征在于，所述黄光外延层(20)包括：第二GaN缓冲层(201)、第二GaN稳定层(202)、第二n型GaN层(203)、第二多量子阱层(204)、第二AlGaN阻挡层(205)以及第二p型GaN层(206)；其中，所述第二多量子阱层(204)为第二GaN势垒层(204a)和第二nGaN量子阱层(204b)依次周期性层叠分布。

4.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述绿光外延层(30)包括：第三GaN缓冲层(301)、第三GaN稳定层(302)、第三n型GaN层(303)、第三多量子阱层(304)、第三AlGaN阻挡层(305)以及第三p型GaN层(306)；其中，所述第三多量子阱层(304)为第三GaN势垒层(304a)和第三nGaN量子阱层(304b)依次周期性层叠分布。

5.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述红光外延层(40)包括：第四GaN缓冲层(401)、n型GaAs缓冲层(402)、n型GaAs稳定层(403)、第四多量子阱层(404)、p型A1GaInP阻挡层(405)以及p型GaAs层(406)；其中，所述第四多量子阱层(404)为GalnP势垒层(404a)和A1GaInP量子阱层(404b)依次周期性层叠分布。

6.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述钝化层(107)的材料为SiO₂。

7.如权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括第一隔离层(12)、第二隔离层(22)、第三隔离层(32)以及第四隔离层(42)；其中，所述第一隔离层(12)设置于所述黄光外延层(20)的四周，所述第二隔离层(22)设置于所述绿光外延层(30)的四周，所述第三隔离层(32)设置于所述红光外延层(40)的四周，所述第四隔离层(42)设置于所述第二蓝光外延层(10B)的四周。

8.如权利要求7所述的器件，其特征在于，所述第一隔离层(12)、所述第二隔离层(22)、所述第三隔离层(32)以及所述第四隔离层(42)的材料均为SiO₂。

9.如权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括负电极，其中，所述负电极为整个器件的共用负电极。

10.如权利要求9所述的器件，其特征在于，所述负电极和所述正电极均包括金属化合物层以及金属层。