[发明专利]一种源跟随电路有效
申请号: | 201711382679.5 | 申请日: | 2017-12-20 |
公开(公告)号: | CN108227814B | 公开(公告)日: | 2020-02-04 |
发明(设计)人: | 冯国友 | 申请(专利权)人: | 普冉半导体(上海)有限公司 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 31323 上海元好知识产权代理有限公司 | 代理人: | 包姝晴;张静洁 |
地址: | 201210 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 输出电压 源跟随电路 跟随电路 工艺角 种源 电路 参考电压 共源共栅 镜像电路 面积开销 阈值电压 共源 叠加 | ||
本发明涉及一种源跟随电路,通过加入共源共栅镜像电路以及共源电路,在参考电压上叠加了一个阈值电压,输出电压不随温度、工艺角的变化而变化,偏差很小。本发明对传统源跟随电路输出电压进行了补偿,解决了传统源跟随电路输出电压会随温度、工艺角变化而变化的缺点,改善了输出电压的特性。本发明的电路简单,面积开销基本可忽略。
技术领域
本发明涉及一种源跟随电路。
背景技术
传统的CMOS源跟随电路,如图1所示,包含本征MOS管M4,其漏极连接电源电压VDD,栅极连接基准电压VREF,源极对应于输出电压VOUT,并与偏置电流源I3连接。该输出电压VOUT=VREF-Vth,由于本征MOS管的阈值电压Vth≈0,因此VOUT≈VREF。但由于Vth会随着温度和工艺角的变化而变化,VOUT也会随着温度和工艺角的变化而变化,产生较大的偏差:不同温度、工艺角时,最大约有+/-0.15V~+/-0.2V的偏差。
发明内容
本发明目的是提供一种源跟随电路,可以产生不随温度、工艺角变化的较精准的输出电压。
为了达到上述目的,本发明的技术方案在于提供一种源跟随电路,包含N型MOS管M0、M1,本征MOS管M2、M3、M4,偏置电流源I0、I1、I2、I3,电阻R0;
M2管的漏极、偏置电流源I0的输入端、M4管的漏极,分别与电源电压VDD连接;
M0管、M1管的源极连接偏置电流源I1的输入端,M0管的栅极连接基准电压VREF;M0管的漏极与M2管的源极连接;M1管的栅极及漏极,与M2管的栅极、M3管的源极相连;
偏置电流源I0的输出端连接M3管的漏极;偏置电流源I0的输出端还通过电阻R0,与M4管的栅极、M3管的栅极、偏置电流源I2的输入端相连;偏置电流源I1、I2、I3的输出端接地;
M4管的源极连接偏置电流源I3的输入端,与输出电压VOUT对应, VOUT=VREF。
优选地,偏置电流源I0、I1、I2对应的电流值为I0、I1、I2,I1=(I0-I2)*2。
优选地,M0管和M1管的导通电流相等,都等于I1/2。
优选地,通过M2管,使M0管、M1管形成共源共栅结构;
其中,VA=VREF;电压VA为M1管的栅极及漏极、M2管的栅极、M3管的源极相连的节点的电压。
优选地,M3管工作于饱和区;
R0*I2 > -Vth,且R0*I2 < VDD-VB;
VB=VA+Vth;VOUT=VB-Vth=VA=VREF;
其中,电阻R0的阻值为R0;偏置电流源I2的电流值为I2;
电压VB为该电阻与M4管的栅极、M3管的栅极、偏置电流源I2的输入端相连的节点的电压。
与现有技术相比,本发明的优点在于:
针对传统源跟随电路输出电压会随温度、工艺角的变化而变化的缺点,本发明进行了优化。传统的源跟随电路输出电压为参考电压减去一个阈值电压,导致温度、工艺角特性不是很好。
本发明通过加入共源共栅镜像电路以及共源电路,在参考电压上叠加了一个阈值电压,从而对传统源跟随电路输出电压进行了补偿。使得输出电压不随温度、工艺角的变化而变化,偏差很小。
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