[发明专利]光对准信号处理方法、光栅对准方法以及对准系统

说明书

本发明提供了光对准信号处理方法，包括以下步骤：步骤1、光信号采集模块采集对准测量的多级次光信号信息；步骤2、滤波模块对所述多级次光信号信息处理，并允许a级次光信号信息通过；步骤3、对所述a级次光信号信息进行处理、分析，得到对准信息；其中，所述a级次光信号信息可以为1、3、5……级次光信号信息中的一个或多个。本发明提供的光对准信号处理方法、光栅对准方法以及对准系统能够使得对准精度高。

技术领域

本发明属于光刻技术领域，涉及光对准信号处理方法、光栅对准方法以及对准系统。

背景技术

在半导体IC集成电路制造过程中，一个完整的芯片通常需要经过多次光刻曝光才能制作完成。除了第一次光刻外，其余层次的光刻在曝光前都要将该层次的图形与以前层次曝光留下的图形进行精确定位，这样才能保证每一层图形之间有正确的相对位置，即套刻精度。通常情况下，套刻精度为光刻机分辨率指标的1/3～1/5，对于100纳米的光刻机而言，套刻精度指标要求小于35nm。套刻精度是投影光刻机的主要技术指标之一，而掩模与硅片之间的对准精度是影响套刻精度的关键因素。当特征尺寸CD要求更小时，对套刻精度的要求以及由此产生的对准精度的要求变得更加严格，如90nm的CD尺寸要求10nm或更小的对准精度。

现有的光栅成像对准分系统光学模块输出的是各级次汇聚在一起的光信号(只有奇级次光信号)，m级次(低级次)与n级次(高级次)的能量理论比值为：n²：m²。按现有的对准流程，在精对准阶段，电子采集模块根据同步信号上传给软件各级次汇聚在一起的光信号，这极大地限制了电子采集模块处理信号的动态范围和精度，容易使得对准精度差。

发明内容

本发明的目的在于提供光对准信号处理方法、光栅对准方法以及对准系统，旨在解决上述技术问题。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种光对准信号处理方法，包括以下步骤：

步骤1、光信号采集模块采集对准测量的多级次光信号信息；

步骤2、滤波模块对所述多级次光信号信息处理，并允许a级次光信号信息通过；

步骤3、对所述a级次光信号信息进行处理、分析，得到对准信息；

其中，所述a级次光信号信息可以为1、3、5......级次光信号信息中的一个或多个。

本发明进一步设置为，所述滤波模块由滤波控制模块进行控制，所述滤波控制模块控制所述滤波模块对所述多级次光信号信息进行筛选。

本发明进一步设置为，所述滤波模块包括若干个滤波器和若干个开关，所述开关控制所述多级次光信号信息进入选定的滤波器。

本发明进一步设置为，所述步骤1包括：

对所述光信号进行采集，并对采集到的所述光信号的信息进行放大得到所述多级次光信号信息。

本发明进一步设置为，所述步骤3包括：

信号处理模块接受所述a级次光信号信息，并将所述a级次光信号信息转换为数字信号；

分析所述数字信号，得到对准信息。

本发明进一步设置为，还包括对所述数字信号解析处理，得到对准信息。

本发明还提供了一种光栅对准方法，包括有如上任一项所述的对准信号处理方法，即：

S1，将光信号转化为电流信号；

S2，S1中的电流信号放大为电压信号；

S3，对电压信号进行选择，保留需要的信号信息；

S4，保留的信号信息通过自动增益放大到固定电压值；