[发明专利]一种光刻方法和制造半导体器件的方法

说明书

本申请提供一种光刻方法和制造半导体器件的方法，该光刻方法包括：在基片表面形成聚合物层，所述聚合物层表面为疏水性；在所述聚合物层表面形成光刻胶图形。根据本申请，在光刻胶和基片之间设置薄的、易被刻蚀和清洗的聚合物层，能够避免专门刻蚀聚合物层的工艺，有效降低工艺复杂度及生产成本，同时，不会妨碍旋涂薄的光刻胶，并能保持精细图形定义的能力。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种光刻方法和制造半导体器件的方法。

背景技术

在半导体制造等领域，新材料的引入越来越多，有些材料与光刻胶的粘附性较差，这样的材料在光刻工艺过程中很容易出现光刻胶从材料表面脱落，导致光刻胶图形不完整使光刻工艺失败的状况，从而影响产品的推出和生产。

对于上述状况，通常的解决办法可以是换用黏度更大的光刻胶或者在材料表面引入一层介质层作为粘附层，由此，使光刻胶牢固地覆盖材料表面。

应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

发明内容

本申请的发明人发现，黏度更大的光刻胶无法旋涂成厚度较薄的光刻胶层，难以用于在材料表面定义精细图形；对于在材料表面设置介质层的情况，通常会增加一步刻蚀工艺来去除这层介质层，这导致整个半导体制造的生产成本和复杂度提高。

本申请提供一种光刻方法和制造半导体器件的方法，在光刻胶和基片之间设置薄的、易被刻蚀和清洗的聚合物层，能够避免专门刻蚀聚合物层的工艺，有效降低工艺复杂度及生产成本，同时，不会妨碍旋涂薄的光刻胶，并能保持精细图形定义的能力。

根据本申请实施例的一个方面，提供一种光刻方法，包括：

在基片表面形成聚合物层，所述聚合物层表面为疏水性；

在所述聚合物层表面形成光刻胶图形。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述聚合物层厚度为400A-800A。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述聚合物层是聚四氟乙烯聚合物。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述光刻胶图形的厚度最薄是8000A。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，在所述聚合物层表面形成光刻胶图形包括：

在所述聚合物表面旋涂光刻胶；

对所述光刻胶至少进行光刻和显影处理，以形成所述光刻胶图形。

根据本申请实施例的另一个方面，提供一种制造半导体器件的方法，包括：

在基片表面形成聚合物层，所述聚合物表面为疏水性；

在所述聚合物表面形成光刻胶图形；

以所述光刻胶图形为掩模，对所述聚合物层和所述基片进行刻蚀。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，该方法还包括：

去除所述光刻胶图形和所述聚合物。

本申请的有益效果在于：在光刻胶和基片之间设置薄的、易被刻蚀和清洗的聚合物层，能够避免专门刻蚀聚合物层的工艺，有效降低工艺复杂度及生产成本，同时，不会妨碍旋涂薄的光刻胶，并能保持精细图形定义的能力。

参照后文的说明和附图，详细公开了本申请的特定实施方式，指明了本申请的原理可以被采用的方式。应该理解，本申请的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内，本申请的实施方式包括许多改变、修改和等同。