[发明专利]一种五管PECVD设备的真空排气系统有效
申请号: | 201711385245.0 | 申请日: | 2017-12-20 |
公开(公告)号: | CN108118310B | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 王锦 | 申请(专利权)人: | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/513 |
代理公司: | 43008 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) | 代理人: | 周长清;戴玲 |
地址: | 410205 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 排气管道 真空管道 反应室 连接管道 排气组件 单向阀 氮气 真空排气系统 控制阀 反应室压力 发生故障 控制排气 连接接头 排气系统 外界空气 组件包括 真空泵 外部 常压 排出 通断 后排 汇合 串联 室内 输出 | ||
本发明公开了一种五管PECVD设备的真空排气系统,包括真空管道组件和排气组件,真空管道组件包括五根真空管道,真空管道一端与五管PECVD设备的反应室的反应室连接管道相连,另一端与外部真空泵相连,排气组件包括五根排气管道,每根排气管道通过连接接头与反应室连接管道,排气管道上设有串联的单向阀和控制阀,单向阀用于使气体从反应室连接管道通入排气管道,控制阀用于控制排气管道的通断。本发明中当通入氮气过多导致反应室压力超过常压时,氮气通过排气管道输出,与外部的排气系统汇合后排出,当泵发生故障时,反应室内和真空管道内的气体也可以通过排气组件排出,单向阀可避免了外界空气流向反应室。
技术领域
本发明涉及光伏制造领域中的五管PECVD设备,尤其涉及一种五管PECVD设备的真空排气系统。
背景技术
PECVD(全称等离子体增强化学气相淀积)设备是光伏制造领域必不可少的装备,近年来,随着我国光伏产业的迅猛发展,对装备的需求和技术要求也越来越高,设备大型化,反应室大口径成为趋势,现在开发的五管PECVD设备反应室口径相比四管PECVD设备反应室口径更大,放入的石墨舟硅片更多达到了416片。由于现有的PECVD设备真空管道设计时都没有设计加入排气系统,因此当PECVD设备工艺完成后需要取出反应室中的石墨舟时,如果冲入氮气过多导致反应室压力超过常压,就会产生硅片掉片,炉口密封圈温度过高使用寿命降低的问题;同时,当用于反应室抽真空用的泵发生故障时还会出现反应室和内部管道内工艺气体难以排出的问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足,提供一种可保证反应室内压力为常压的五管PECVD设备的真空排气系统。
为解决上述技术问题,本发明采用以下技术方案:
一种五管PECVD设备的真空排气系统,包括真空管道组件和排气组件,所述真空管道组件包括五根真空管道,所述真空管道一端与五管PECVD设备的反应室的反应室连接管道相连,另一端与外部真空泵相连,所述排气组件包括五根排气管道,每根排气管道通过连接接头与反应室连接管道,所述排气管道上设有串联的单向阀和控制阀,所述单向阀用于使气体从反应室连接管道通入排气管道,所述控制阀用于控制排气管道的通断。
作为上述技术方案的进一步改进:
所述排气组件还包括分气接头,所述分气接头包括一个出气口和五个进气口,所述五根排气管道的出口分别与五个进气口对应连接。
所述连接接头为VCR接头。
所述控制阀为常开气动隔膜阀。
所述排气管道为不锈钢抛光管。
与现有技术相比,本发明的优点在于:
本发明的五管PECVD设备的真空排气系统,在反应室连接管道上设置带单向阀和控制阀排气管道,单向阀只允许气体从内部管道和反应室向排气管焊件流动,控制阀控制排气管道的打开与关闭;当通入氮气过多导致反应室压力超过常压时,氮气通过排气管道输出,与外部的排气系统汇合后排出,当泵发生故障时,反应室内和真空管道内的气体也可以通过排气组件排出;设置单向阀,气体不能实现相反的流动,避免了外界空气流向反应室的可能。
附图说明
图1是本发明的结构示意图。
图2是本发明中排气组件的结构示意图。
图3是本发明中分气接头的结构示意图。
图中各标号表示:
100、真空管道组件;110、真空管道;200、排气组件;210、排气管道;220、分气接头;221、出气口;222、进气口;300、反应室连接管道;400、连接接头;500、单向阀;600、控制阀。
具体实施方式
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的