[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，所述制造方法的特征在于，包括：

(a)将包含金属粒子的导电膏涂覆到电极板中的指定区域，所述电极板在所述电极板的表面中包括凹部，所述指定区域与所述凹部相邻；

(b)将半导体芯片放置在所述导电膏上，使得所述半导体芯片的外周边缘位于所述凹部上方；以及

(c)通过在朝向所述电极板的方向上向所述半导体芯片施加压力的同时加热所述导电膏，使所述导电膏硬化。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在所述步骤(a)中，不将所述导电膏涂覆到所述凹部的底表面，以及

在所述步骤(c)中，已经从所述指定区域流入所述凹部中的所述导电膏与所述凹部的所述底表面接触。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括：(d)在所述凹部上方并且靠近所述半导体芯片的所述外周边缘的位置设置夹具。

4.一种半导体器件，所述半导体器件的特征在于，包括：

电极板，所述电极板包括凹部和与所述凹部相邻的指定区域，所述凹部在所述电极板的表面中；

接合层，所述接合层由金属构成，并且覆盖从所述指定区域延伸至所述凹部的区域；以及

半导体芯片，所述半导体芯片被设置成面对所述指定区域和所述凹部，所述半导体芯片在所述指定区域和所述凹部上方与所述接合层接合，并且所述半导体芯片的外周边缘位于所述凹部上方，其中，

所述凹部中的所述接合层的空隙率高于所述指定区域中的所述接合层的空隙率。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述接合层的与所述半导体芯片的所述外周边缘相邻的部分的表面相对于所述半导体芯片的下表面倾斜，以在延伸远离所述指定区域的同时朝向所述凹部的底表面偏移。

6.根据权利要求4或5所述的半导体器件，其特征在于，所述接合层是导电膏。

7.根据权利要求4至6中的任一项所述的半导体器件，其特征在于，

所述凹部按环状形状在所述电极板的所述表面中延伸，以包围所述半导体芯片，以及

所述指定区域是被所述凹部包围的区域。