[发明专利]一种电光调制器、单偏振IQ调制器、双偏振IQ调制器有效
申请号: | 201711385661.0 | 申请日: | 2017-12-20 |
公开(公告)号: | CN109946791B | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 曹攀 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | G02B6/26 | 分类号: | G02B6/26;G02F1/01 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 肖庆武 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电光 调制器 偏振 iq | ||
1.一种电光调制器,其特征在于,所述电光调制器包括第一耦合器、第二耦合器,所述电光调制器用于将电信号调制至光信号中,其中:
所述第一耦合器的第一输入端作为所述电光调制器的输入端,所述第二耦合器的第一输出端作为所述电光调制器的输出端;
所述第一耦合器的第一输出端通过第一光波导与所述第二耦合器的第一输入端连接,所述第一耦合器的第二输出端通过第二光波导与所述第二耦合器的第二输入端连接,所述第二耦合器的第二输出端通过第三光波导与所述第一耦合器的第二输入端连接;
所述第一光波导的第一段光波导处设置有高速移相器;所述第二光波导的第一段光波导处设置有高速移相器,其中,所述高速移相器包括电极,所述高速移相器用于信号调制;
所述第三光波导的第一段光波导处设置有低速移相器;所述第一光波导和/或所述第二光波导的第二段光波导处设置有低速移相器,其中,所述低速移相器用于调节谐振峰。
2.根据权利要求1所述的电光调制器,其特征在于,所述第一光波导、所述第二光波导和所述第三光波导的材料为以下材料中的任意一种:
硅基材料、铟磷材料、铌酸锂材料。
3.根据权利要求1所述的电光调制器,其特征在于,所述第一耦合器为双输入双输出的多模干涉耦合器、双输入双输出的定向耦合器或者双输入双输出的分路器。
4.根据权利要求1所述的电光调制器,其特征在于,所述第二耦合器为双输入双输出的多模干涉耦合器、双输入双输出的定向耦合器或者双输入双输出的分路器。
5.根据权利要求1所述的电光调制器,其特征在于,所述电极为行波电极或者集总电极。
6.根据权利要求1所述的电光调制器,其特征在于,所述低速移相器为热移相器或者电移相器。
7.根据权利要求1所述的电光调制器,其特征在于,所述电光调制器的驱动方式为单端口差分驱动或者双端口差分驱动。
8.一种单偏振同相正交调制器,其特征在于,所述单偏振同相正交调制器包括第三耦合器和第四耦合器、第一电光调制器和第二电光调制器,所述第一电光调制器和所述第二电光调制器为权利要求1-7任意一项所述的电光调制器,其中:
所述第三耦合器的输入端作为所述单偏振同相正交调制器的输入端,所述第四耦合器的输出端作为所述单偏振同相正交调制器的输出端;
所述第三耦合器的第一输出端通过第四光波导与所述第一电光调制器的输入端连接,所述第三耦合器的第二输出端通过第五光波导与所述第二电光调制器的输入端连接,所述第一电光调制器的输出端通过第六光波导与所述第四耦合器的第一输入端连接,所述第二电光调制器的输出端通过第七光波导与所述第四耦合器的第二输入端连接。
9.根据权利要求8所述的单偏振同相正交调制器,其特征在于,所述第三耦合器为多模干涉耦合器、定向耦合器或者分路器,所述第四耦合器为多模干涉耦合器、定向耦合器或者分路器。
10.一种双偏振同相正交调制器,其特征在于,所述双偏振同相正交调制器包括第五耦合器、第一单偏振同相正交调制器、第二单偏振同相正交调制器、偏振旋转器、偏振合路器,所述第一单偏振同相正交调制器和所述第二单偏振同相正交调制器为权利要求8所述的单偏振同相正交调制器,其中:
所述第五耦合器的输入端作为所述双偏振同相正交调制器的输入端,所述偏振合路器的输出端作为所述双偏振同相正交调制器的输出端;
所述第五耦合器的第一输出端通过第八光波导与所述第一单偏振同相正交调制器的输入端连接,所述第五耦合器的第二输出端通过第九光波导与所述第二单偏振同相正交调制器的输入端连接,所述第一单偏振同相正交调制器的输出端通过第十光波导与所述偏振合路器的第一输入端连接,所述偏振旋转器分别通过第十一光波导、第十二光波导与第二单偏振同相正交调制器的输出端、偏振合路器的第二输入端连接。
11.根据权利要求10所述的双偏振同相正交调制器,其特征在于,所述第五耦合器为多模干涉耦合器、定向耦合器或者分路器。
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