[发明专利]聚偏氟乙烯温敏性膜及其制备方法

权利要求书

1.一种聚偏氟乙烯温敏性膜，其特征在于，由以下重量份的组分组成：聚偏氟乙烯2～15份、PVDF-b-PNIPAM 1～5份、PEG 1～10份、溶剂30～80份；

所述PVDF-b-PNIPAM的结构式如下所示：

其中，n＝20-150；m＝20-150；所述PVDF-b-PNIPAM的平均分子量为9000-20000；聚合度为20-103。

2.根据权利要求1所述的聚偏氟乙烯温敏性膜，其特征在于，所述溶剂为DMF、DMAc、DMSO中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的聚偏氟乙烯温敏性膜，其特征在于，所述PVDF-b-PNIPAM的制备方法包括：

步骤1：在高压反应釜中加入引发剂和链转移剂，抽真空，在氮气氛围下，加入偏氟乙烯，加入一定量的二氧化碳，在一定温度下反应；得到大分子链转移剂；

步骤2：将得到的大分子链转移剂和温敏性单体溶解到溶剂中，加入引发剂，抽真空在氮气氛围中反应；

步骤3：用蒸馏水透析、烘干得到温敏性嵌段共聚物。

4.根据权利要求3所述的聚偏氟乙烯温敏性膜，其特征在于，所述步骤1中，链转移剂为全氟碘丁烷，全氟碘己烷、全氟碘辛烷中的一种或多种；所述步骤1或2中，引发剂为叔丁基过氧特戊酸酯、过氧化新癸酸叔丁酯、过氧化-2-乙基己酸叔丁酯、过氧化-3,5,5-三甲基己酸叔丁酯；所述步骤2中，温敏性单体为N-异丙基丙烯酰胺；溶剂为N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜。

5.根据权利要求3所述的聚偏氟乙烯温敏性膜，其特征在于，所述步骤1中，引发剂与偏氟乙烯的质量比为0.1-0.5:20-100；链转移剂与偏氟乙烯的质量比为1-5:20-100；二氧化碳与偏氟乙烯的质量比为5-25:2-10。

6.根据权利要求3所述的聚偏氟乙烯温敏性膜，其特征在于，所述步骤2中，大分子链转移剂和温敏性单体的质量比为1-5:2-12.5；大分子链转移剂与溶剂的质量比为1-5:50-150；大分子链转移剂与引发剂的质量比为2-10:0.1-0.5。

7.根据权利要求3所述的聚偏氟乙烯温敏性膜，其特征在于，所述步骤1或2中，反应釜的压力为20-40MPa，抽真空后用氮气置换，反应釜内的氧含量小于10ppm，反应温度为50-80℃，反应时间8-24h。

8.根据权利要求3所述的聚偏氟乙烯温敏性膜，其特征在于，所述步骤3中，透析的条件为使用分子量为9000-20000的透析袋，透析3次；烘干的条件为60℃烘箱12h。

9.权利要求1或2所述的聚偏氟乙烯温敏性膜的制备方法，其特征在于，包括：

步骤11：将上述重量份的偏氟乙烯、PVDF-b-PNIPAM、PEG和溶剂混合，水浴均匀搅拌，置于真空干燥箱静置脱泡，即得到铸膜液；

步骤12：将上述铸膜液均匀刮涂到玻璃板上，置于凝固浴中，待膜固化成型自动脱落，蒸馏水浸泡备用。

10.根据权利要求9所述的聚偏氟乙烯温敏性膜的制备方法，其特征在于，所述步骤11，水浴温度为50-60℃，搅拌6h；真空干燥箱温度为50-60℃，静置1-2h；所述步骤12中，凝固浴的温度为20-25℃。