[发明专利]一种通过增加热处理过程改善CIS白色像素点的方法有效
| 申请号： | 201711387099.5 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108133944B | 公开（公告）日： | 2021-05-21 |
| 发明（设计）人： | 李晓玉;秋沉沉 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201200 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 通过 增加 热处理 过程 改善 cis 白色 像素 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种通过增加热处理过程改善CIS白色像素点的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1、提供一用于形成图像传感器的半导体衬底，所述半导体衬底至少具有栅极和源、漏结构；
步骤S2、通过等离子体加强化学沉积法在所述半导体衬底表面沉积形成氧化硅层；
步骤S3、对氧化硅层进行第一高温退火处理，处理温度为660℃，处理时间为80min，处理氛围为氮气；
步骤S4、对氧化硅层进行快速高温退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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