[发明专利]一种降低硅空洞缺陷率的硅层减薄方法

权利要求书

1.一种降低硅空洞缺陷率的硅层减薄方法，适用于在刻蚀装置中对复合结构中的硅层进行减薄，所述刻蚀装置具有一刻蚀腔室，所述刻蚀腔室内置有HHC，所述HHC为HF、HNO3、HAC的混合液，所述复合结构包括复合基底及设置在所述复合基底上的所述硅层；其特征在于，所述硅层减薄方法包括：

步骤S1、进行激活操作，于所述刻蚀腔室内添加一P+类型的第一控片，随后取出所述第一控片；

步骤S2、进行第一次调节操作，于所述刻蚀腔室内添加一P-类型的第二控片，所述第二控片用于中和部分所述第一控片带来的空穴，随后取出所述第二控片；

步骤S3、进行第一次跑货操作，于所述刻蚀腔室内依次添加多个未经减薄处理的所述复合结构，利用所述HHC依次对多个未经减薄处理的所述复合结构中的所述硅层进行刻蚀减薄处理，随后依次取出经过刻蚀减薄后的多个所述复合结构；

步骤S4、进行第二次调节操作，于所述刻蚀腔室内添加一P-类型的第三控片，所述第三控片用于中和部分所述HHC在进行刻蚀减薄处理时带来的空穴，随后取出所述第三控片；

步骤S5、进行第二次跑货操作，于所述刻蚀腔室内依次添加多个未经减薄处理的所述复合结构，利用所述HHC依次对多个未经减薄处理的所述复合结构中的所述硅层进行所述刻蚀减薄处理，随后依次取出经过刻蚀减薄后的多个所述复合结构，随后退出。

2.根据权利要求1的硅层减薄方法，其特征在于，所述复合基底包括元件及设置在所述元件上的外延层，所述硅层设置于所述外延层的上表面。

3.根据权利要求2的硅层减薄方法，其特征在于，所述外延层为P-型外延层。

4.根据权利要求2的硅层减薄方法，其特征在于，所述外延层和所述硅层的厚度为26um。

5.根据权利要求2的硅层减薄方法，其特征在于，所述外延层的厚度为4.3um。

6.根据权利要求1的硅层减薄方法，其特征在于，所述步骤S3中，进行第一次跑货操作时，于所述刻蚀腔室内添加4个未经减薄处理的所述复合结构。

7.根据权利要求1的硅层减薄方法，其特征在于，所述步骤S5中，进行第二次跑货操作时，于所述刻蚀腔室内添加4个未经减薄处理的所述复合结构。

8.根据权利要求1的硅层减薄方法，其特征在于，所述复合结构为背照式图像传感器。