[发明专利]一种发光元件串接的OLED照明屏体及制备方法有效
申请号: | 201711388467.8 | 申请日: | 2017-12-20 |
公开(公告)号: | CN109950273B | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
发明(设计)人: | 李育豪;谢静;胡永岚;朱映光;于倩倩;郭立雪;吕勇;冯建斌 | 申请(专利权)人: | 固安翌光科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/62;H01L51/56;G09F9/33 |
代理公司: | 北京东方芊悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11591 | 代理人: | 彭秀丽 |
地址: | 065500 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光 元件 oled 照明 制备 方法 | ||
1.一种发光元件串接的OLED照明屏体,包括基板和设置于所述基板上的多个发光元件,其特征在于:
所述基板被划分为N个发光区域,每一所述发光区域中包括通过金属串联连接的M个发光元件,其中M和N均为整数且M≥2,N≥50;
每个发光区域中包括一个共用型第一电极和一组分离型第一电极,且分离型第一电极的数量为N个。
2.根据权利要求1所述的发光元件串接的OLED照明屏体,其特征在于:其中发光区域数:N≥1000,每个发光区域中的发光元件数:M=2。
3.根据权利要求1所述的发光元件串接的OLED照明屏体,其特征在于:
所述发光区域中,具有相邻连接关系的两个发光元件中,一个为常规发光元件,另一个为倒置型发光元件;其中,所述常规发光元件包括沿远离所述基板方向依次设置的第一电极、发光层、第二电极;所述倒置型发光元件包括沿远离所述基板方向依次设置的第二电极、发光层、第一电极,所述常规发光元件第一电极和倒置型发光元件第二电极共用为所述金属串联两个发光元件或所述常规发光元件第二电极和倒置型发光元件第一电极共用为所述金属串联两个发光元件。
4.根据权利要求1所述的发光元件串接的OLED照明屏体,其特征在于,还包括:
辅助电极,设置于所述发光元件之间,与所述金属电导通;
绝缘层,覆盖于所述辅助电极 之上。
5.根据权利要求4所述的发光元件串接的OLED照明屏体,其特征在于:所述辅助电极的片电阻小于或等于2Ω/□。
6.根据权利要求1所述的发光元件串接的OLED照明屏体,其特征在于:
所述金属为铝材料层、银材料层或铝材料层与银材料层叠加设置。
7.根据权利要求1所述的发光元件串接的OLED照明屏体,其特征在于:
所述金属的宽度满足如下条件:当所述发光区域中超过设定数量的发光元件发生短路缺陷时,所述金属发生熔断。
8.一种制备权利要求1所述发光元件串接的OLED照明屏体的方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一:在基板上制备多个共用型第一电极和多组分离型第一电极,每一组所述分离型第一电极中包括P个所述分离型第一电极,且P个分离型第一电极沿所述共用型第一电极长度方向上依次排列;
步骤二:将所述多个共用型第一电极和多组分离型第一电极划分为Q个区域,每一个发光区域中所述共用型第一电极的个数与所述分离型第一电极的组数之和为M,其中M、Q、P为整数且M≥2,Q*P=N,N≥50;
步骤三:制备P个图形化的分区,每一所述分区宽度方向上的两个边缘分别位于所述共用型第一电极的外侧边缘处和一个所述分离型第一电极上;在所述共用型第一电极和所述分离型第一电极之间制备P个隔离组件,每一所述隔离组件覆盖所述共用型第一电极和一个所述分离型第一电极的边沿;
步骤四:在设定所述分区的边缘上制备倒梯形的绝缘柱;
步骤五:在所述共用型第一电极上所述分区边缘与所述隔离组件围成的区域内制备发光层,在所述分离型第一电极上所述分区的外部制备发光层,所述发光层的高度小于所述绝缘柱的高度;
步骤六:制备第二电极层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的