[发明专利]具有阻抗补偿电路的分布式放大器

权利要求书

1.一种分布式放大器，其特征在于，包括：

输出收集线，所述输出收集线包括串联地电气耦合在所述输出收集线的第一末端与第二末端之间的多个输出传输线片段；

多个抽头节点，其中所述抽头节点中的不同一个抽头节点位于所述多个输出传输线片段中的每个输出传输线片段的输入末端处；以及

多个放大路径，其中所述放大路径中的每个放大路径电气耦合到所述抽头节点中的不同一个抽头节点，且所述放大路径中的每个放大路径包括：

放大器，所述放大器具有放大器输入和放大器输出，其中所述放大器被配置成在所述放大器输入处接收输入RF信号，且放大所述输入RF信号以在所述放大器输出处产生经放大RF信号；以及

补偿电路，所述补偿电路具有补偿电路输入和补偿电路输出，其中所述补偿电路输入电气耦合到所述放大器输出，所述补偿电路输出电气耦合到所述抽头节点中的一个抽头节点，且所述补偿电路包括具有电气耦合到所述补偿电路输入的第一端与电器耦合到所述补偿电路输出的第二端的串联电感，和电气耦合在所述串联电感的所述第二端与接地参考节点之间的分路电容，其中，所述串联电感具有不可忽略的电感值，并且所述串联电感和所述分路电容形成第一低通电路，且其中所述补偿电路进一步包括与所述第一低通电路串联地耦合的至少一个额外的低通电路。

2.根据权利要求1所述的分布式放大器，其特征在于，每个放大器包括功率晶体管，所述功率晶体管具有对应于所述放大器输入的控制端和对应于所述放大器输出的导电端，且所述分布式放大器进一步包括：

半导体管芯，其中所述功率晶体管是与所述半导体管芯整体地形成，且其中所述串联电感和所述分路电容物理耦合到所述半导体管芯。

3.根据权利要求2所述的分布式放大器，其特征在于，所述半导体管芯包括由具有至少1000欧姆/厘米的体电阻率的高电阻率半导体材料形成的半导体基板，且其中所述半导体基板是选自硅、绝缘体上硅（SOI）、蓝宝石上硅（SOS）、砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化硅上GaN和硅上GaN。

4.根据权利要求2所述的分布式放大器，其特征在于：

所述半导体管芯包括暴露在所述半导体管芯的表面处的第一导电垫和第二导电垫；

所述第一导电垫电气耦合到所述导电端；

所述第二导电垫电气耦合到所述补偿电路输出；且

所述串联电感包括离散电感器装置，所述离散电感器装置具有连接到所述第一导电垫的第一端和连接到所述第二导电垫的第二端。

5.根据权利要求2所述的分布式放大器，其特征在于，所述输出收集线是与所述半导体管芯整体地形成。

6.根据权利要求1所述的分布式放大器，其特征在于，每个放大器包括功率晶体管，所述功率晶体管具有对应于所述放大器输入的控制端和对应于所述放大器输出的导电端，且所述分布式放大器进一步包括：

半导体管芯，其中所述功率晶体管是与所述半导体管芯整体地形成；以及

单独基板，所述单独基板与所述半导体管芯分离，其中所述分路电容物理耦合到所述单独基板，且所述串联电感包括耦合在所述半导体管芯与所述单独基板之间的多个键合线。

7.根据权利要求1所述的分布式放大器，其特征在于，进一步包括：

输入传输线，所述输入传输线包括串联地电气耦合在所述输入传输线的第一末端与第二末端之间的多个输入传输线片段；以及

多个馈送节点，其中所述馈送节点中的不同一个馈送节点位于所述多个输入传输线片段中的每个输入传输线片段的输出末端处，且所述放大路径中的每个放大路径的所述放大器输入电气耦合到所述馈送节点中的不同一个馈送节点。

8.根据权利要求1所述的分布式放大器，其特征在于，所述串联电感包括串联地耦合在一起的多个离散电感器。

9.一种已封装分布式射频（RF）放大器装置，其特征在于，包括：

封装基板；

装置输入，所述装置输入耦合到所述封装基板；

装置输出，所述装置输出耦合到所述封装基板；以及

分布式放大器，所述分布式放大器耦合到所述封装基板，其中所述分布式放大器包括：

输出收集线，所述输出收集线包括串联地电气耦合在所述输出收集线的第一末端与第二末端之间的多个输出传输线片段，其中所述输出收集线的所述第二末端耦合到所述装置输出；

多个抽头节点，其中所述抽头节点中的不同一个抽头节点位于所述多个输出传输线片段中的每个输出传输线片段的输入末端处；以及

多个放大路径，其中所述放大路径中的每个放大路径电气耦合到所述抽头节点中的不同一个抽头节点，且所述放大路径中的每个放大路径包括：

放大器，所述放大器具有放大器输入和放大器输出，其中所述放大器被配置成在所述放大器输入处接收输入RF信号，且放大所述输入RF信号以在所述放大器输出处产生经放大RF信号；以及

补偿电路，所述补偿电路具有补偿电路输入和补偿电路输出，其中所述补偿电路输入电气耦合到所述放大器输出，所述补偿电路输出电气耦合到所述抽头节点中的一个抽头节点，且所述补偿电路包括具有电气耦合到所述补偿电路输入的第一端与电气耦合到所述补偿电路输出的第二端的串联电感，和电气耦合在所述串联电感与接地参考节点之间的分路电容，其中，所述串联电感具有不可忽略的电感值，并且所述串联电感和所述分路电容形成第一低通电路，且其中所述补偿电路进一步包括与所述第一低通电路串联地耦合的至少一个额外的低通电路。