[发明专利]具有侧墙型选择栅的非易失存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种具有侧墙型选择栅的非易失存储器，其特征在于：包括位于存储区的存储器件和位于外围电路区的逻辑器件；

所述存储器件包括存储管和位于所述存储管侧面的侧墙型选择管；

所述存储管的第一栅极结构包括依次叠加于半导体衬底表面的ONO层和控制栅；

所述侧墙型选择管的第二栅极结构包括第一栅氧化层和选择栅，所述第一栅氧化层位于所述第一栅极结构外的所述半导体衬底表面，所述选择栅为侧墙结构且是通过对位于所述存储区的第一多晶硅或无定形硅层进行全面的多晶硅或无定形硅刻蚀自对准形成于所述第一栅极结构的侧面，所述选择栅和对应的所述控制栅之间通过第二氧化层隔离；

所述逻辑器件的第三栅极结构包括依次叠加的所述第一栅氧化层和逻辑栅；所述逻辑栅通过对第二多晶硅或无定形硅层进行光刻定义后再进行多晶硅或无定形硅刻蚀形成；

所述第一多晶硅或无定形硅层的厚度大于所述第二多晶硅或无定形硅层的厚度，通过所述第二多晶硅或无定形硅层的厚度独立调节所述逻辑栅的厚度，通过所述第一多晶硅或无定形硅层的厚度的独立调节所述侧墙型选择管的沟道长度，使得在减少所述逻辑栅的厚度时能增加所述侧墙型选择管的沟道长度，通过减少所述逻辑栅的厚度增加所述逻辑器件的性能，通过增加所述侧墙型选择管的沟道长度控制所述侧墙型选择管的漏电。

2.如权利要求1所述的具有侧墙型选择栅的非易失存储器，其特征在于：所述侧墙型选择管的沟道长度大于所述逻辑栅的厚度。

3.如权利要求1所述的具有侧墙型选择栅的非易失存储器，其特征在于：所述第一多晶硅或无定形硅层由多层多晶硅或无定形硅叠加而成，所述第一多晶硅或无定形硅层的底部多晶硅或无定形硅层和所述第二多晶硅或无定形硅层的工艺条件相同。

4.如权利要求1所述的具有侧墙型选择栅的非易失存储器，其特征在于：所述控制栅的组成材料为多晶硅或无定形硅。

5.如权利要求1所述的具有侧墙型选择栅的非易失存储器，其特征在于：在所述控制栅表面还形成有硬质掩模层。

6.如权利要求5所述的具有侧墙型选择栅的非易失存储器，其特征在于：所述硬质掩模层由第三氧化硅层和第四氮化硅层叠加而成。

7.如权利要求1所述的具有侧墙型选择栅的非易失存储器，其特征在于：在各所述第一栅极结构的至少一个侧面形成有所述选择栅；

当两个相邻的所述第一栅极结构的间距小于等于各所述选择栅的宽度的2倍时，位于两个相邻的所述第一栅极结构之间的所述选择栅被去除；

当两个相邻的所述第一栅极结构的间距大于各所述选择栅的宽度的2倍时，位于两个相邻的所述第一栅极结构之间的所述选择栅保留或被去除。

8.如权利要求1所述的具有侧墙型选择栅的非易失存储器，其特征在于：所述选择栅对应的多晶硅或无定形硅刻蚀和所述逻辑栅的多晶硅或无定形硅刻蚀为同时进行的相同工艺；或者，所述选择栅对应的多晶硅或无定形硅刻蚀和所述逻辑栅的多晶硅或无定形硅刻蚀为分开进行的工艺。