[发明专利]一种功率器件的衬底的制造方法和控制器在审
| 申请号： | 201711389940.4 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108054200A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 王新 | 申请（专利权）人： | 深圳市麦思浦半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区西*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 衬底 制造 方法 控制器 | ||
1.一种功率器件的衬底的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
获取原始单晶片N-；
在所述原始单晶片N-的背面上，刻蚀至少一个凹槽；
在刻蚀有所述凹槽的所述背面形成N+层，制造出由所述正面为N-层和所述背面为N+层构成的功率器件的衬底。
2.如权利要求1所述的功率器件的衬底的制造方法，其特征在于，在刻蚀有所述凹槽的所述背面形成N+层，制造出由所述正面为N-层和所述背面为N+层构成的功率器件的衬底，包括：
对刻蚀有凹槽的原始单晶片N-的所述正面和所述背面使用硼或者磷进行扩散，在所述正面和所述背面分别形成N+层；
采用减薄工艺去除所述正面的N+层。
3.如权利要求2所述的功率器件的衬底的制造方法，其特征在于，采用减薄工艺去除掉所述正面的N+层之后，所述方法包括：
采用减薄工艺去减薄所述正面上的N-层。
4.如权利要求1所述的功率器件的衬底的制造方法，其特征在于，在刻蚀有所述凹槽的所述背面形成N+层，制造出由所述正面为N-层和所述背面为N+层构成的功率器件的衬底，包括：
在在刻蚀有所述凹槽的所述背面注入硼或磷杂质离子；
激活杂质离子来在所述背面形成N+层。
5.如权利要求1至4任一项所述的功率器件的衬底的制造方法，其特征在于，在所述背面形成的N+层的深度比所述凹槽深度高。
6.一种控制器，其特征在于，所述控制器包括：
获取单元，用于获取原始单晶片N-；
刻蚀单元，用于在所述原始单晶片N-的背面上，刻蚀至少一个凹槽；
衬底形成单元，用于在刻蚀有所述凹槽的所述背面形成N+层，制造出由所述正面为N-层和所述背面为N+层构成的功率器件的衬底。
7.如权利要求6所述的控制器，其特征在于，所述衬底形成单元，用于：
对刻蚀有凹槽的原始单晶片N-的所述正面和所述背面使用硼或者磷进行扩散，在所述正面和所述背面分别形成N+层；
采用减薄工艺去除所述正面的N+层。
8.如权利要求7所述的控制器，其特征在于，所述衬底形成单元，还用于：
采用减薄工艺去除掉所述正面的N+层之后，再采用减薄工艺去减薄所述正面上的N-层。
9.如权利要求6所述的控制器，其特征在于，所述衬底形成单元，用于：
在刻蚀有所述凹槽的所述背面注入硼或磷杂质离子；
激活杂质离子来在所述背面形成N+层。
10.如权利要求6至9任一项所述的控制器，其特征在于，在所述背面形成的N+层的深度比所述凹槽深度高。
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