[发明专利]电子器件及其制造方法

权利要求书

1.一种电子器件，包括：

像素区域，所述电子器件的像素被包括在所述像素区域中并且沿行和列排列在所述像素区域中；

多个像素电极，布置在所述像素区域中；

有源层，形成在所述多个像素电极上，所述有源层覆盖所述像素区域的整个表面并且进一步在所述像素区域的整个周界处自所述像素区域向外延伸；

相对电极，在所述有源层上并覆盖所述有源层的整个上表面和所有侧表面；

第一封装膜，在所述相对电极上并覆盖所述相对电极的整个上表面，其中所述相对电极和所述第一封装膜具有共同的平面形状，所述相对电极的外侧壁与所述第一封装膜的外侧壁共平面；以及

在所述第一封装膜上的第二封装膜，覆盖所述第一封装膜的上表面和侧表面以及共平面的所述相对电极的所述外侧壁与所述第一封装膜的所述外侧壁。

2.如权利要求1所述的电子器件，其中所述相对电极的垂直面积大于所述有源层的垂直面积。

3.如权利要求2所述的电子器件，其中所述相对电极的一个边缘和所述有源层的一个边缘之间的距离为1μm至100μm。

4.如权利要求1所述的电子器件，其中所述第一封装膜包括为氧化物、氮化物或氮氧化物中的一种材料的材料。

5.如权利要求4所述的电子器件，其中所述材料包括铝、钛、锆、铪、钽和硅中的至少一种元素。

6.如权利要求1所述的电子器件，其中所述第一封装膜具有2nm至30nm的厚度。

7.如权利要求1所述的电子器件，还包括在所述第一封装膜和所述第二封装膜之间的第三封装膜。

8.如权利要求7所述的电子器件，其中所述第三封装膜具有与所述相对电极和所述第一封装膜共同的平面形状。

9.如权利要求7所述的电子器件，其中所述第三封装膜包括关于所述第一封装膜的共同材料。

10.如权利要求9所述的电子器件，其中所述第三封装膜具有关于所述第一封装膜的膜质量的不同膜质量。

11.如权利要求10所述的电子器件，其中所述第三封装膜具有比所述第一封装膜的膜密度大的膜密度。

12.如权利要求7所述的电子器件，其中所述第三封装膜包括与所述第一封装膜的材料不同的材料。

13.如权利要求12所述的电子器件，其中，

所述第一封装膜包括氧化物、氮化物或氮氧化物中的一种材料，所述第一封装膜中包括的所述一种材料包括铝、钛、锆、铪和钽中的至少一种元素，并且

所述第三封装膜包括氧化物、氮化物或氮氧化物中的一种材料，所述第三封装膜中包括的所述一种材料包括硅。

14.如权利要求7所述的电子器件，其中所述第三封装膜比所述第一封装膜厚，并且所述第三封装膜具有10nm至200nm的厚度。

15.如权利要求1所述的电子器件，其中所述第二封装膜包括氧化物、氮化物、氮氧化物、有机材料或有机/无机复合物中的一种材料。

16.如权利要求1所述的电子器件，其中所述有源层是光吸收层，所述光吸收层配置为选择性地吸收光的红色波长谱、光的绿色波长谱和光的蓝色波长谱中的光的一个波长谱中的光。

17.如权利要求1所述的电子器件，还包括：

半导体基板，在所述多个像素电极下面，

其中所述半导体基板包括与所述多个像素电极垂直交叠的多个光感测器件。