[发明专利]闪存器件及其制造方法

权利要求书

1.一种闪存器件，其特征在于，包括形成在衬底中的源极和漏极、形成在衬底表面之上的处于源极和漏极之间的栅极结构，所述栅极结构从下至上依次包括层叠的隧穿氧化层、浮栅层、绝缘介质层和控制栅层，其中所述浮栅层刻蚀形成有凹槽，所述绝缘介质层形成在设置有凹槽的浮栅层的表面之上。

2.如权利要求1所述的闪存器件，其特征在于，所述绝缘介质层为ONO结构，从下至上依次包括层叠的第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层。

3.如权利要求1所述的闪存器件，其特征在于，所述闪存器件为NOR型闪存器件。

4.如权利要求2所述的闪存器件，其特征在于，所述第一氧化物层、第二氧化物层均为氧化硅或者氮氧化硅。

5.如权利要求2所述的闪存器件，其特征在于，所述氮化物层均为氮化硅。

6.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1，在衬底中形成源极和漏极；

步骤S2，在衬底表面之上、且处于源极和漏极之间形成隧穿氧化层；

步骤S3，在隧穿氧化层之上形成浮栅层；

步骤S4，在浮栅层设置光罩，通过曝光的方式在浮栅层的上表面向下刻蚀以形成凹槽；

步骤S5，去除光罩，以在形成有凹槽的浮栅层表面形成绝缘介质层；

步骤S6，在绝缘介质层之上形成控制栅层。

7.如权利要求6所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S4中，所述光罩为光刻胶，通过负胶的方式曝光，利用干法刻蚀在浮栅层的上表面向下刻蚀以形成凹槽。

8.如权利要求6所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，形成在浮栅层上的凹槽为沉槽，以使形成在浮栅层上的凹槽的深度小于浮栅层的高度。

9.如权利要求8所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，形成在浮栅层上的凹槽的深度等于浮栅层的高度的一半。

10.如权利要求6所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，形成在浮栅层的凹槽的数量为一个以上。