[发明专利]一种MOSFET器件之全局工艺角模型的建模方法有效
| 申请号： | 201711392362.X | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108133102B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 吕少力;彭兴伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/337 | 分类号： | G06F30/337;G06F30/398 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 器件 全局 工艺 模型 建模 方法 | ||
1.一种MOSFET器件之全局工艺角模型的建模方法，其特征在于，所述MOSFET器件之全局工艺角模型的建模方法依据全局工艺角模型的原理，根据参数直接计算获得全局工艺角，取消通过全局工艺角的3sigma计算值去再次调整参数作为全局工艺角模型；
所述参数至少为栅氧厚度toxe，栅宽xw，栅长xl，开启电压vth0，迁移率u0；
针对栅氧厚度toxe，
toxeglobal＝toxetotal-3toxemismatch/sqrt(Weff×Leff×NF×multi)
其中，Weff为器件的宽度；Leff为器件的长度；NF为finger个数；multi为器件数量；sqrt函数为平方根计算。
2.如权利要求1所述MOSFET器件之全局工艺角模型的建模方法，其特征在于，针对栅宽xw，
xwglobal＝xwtotal-3xwmismatch/sqrt(Weff×Leff×NF×multi)
其中，Weff为器件的宽度；Leff为器件的长度；NF为finger个数；multi为器件数量；sqrt函数为平方根计算。
3.如权利要求1所述MOSFET器件之全局工艺角模型的建模方法，其特征在于，针对栅长xl，
xlglobal＝xltotal-3xlmismatch/sqrt(Weff×Leff×NF×multi)
其中，Weff为器件的宽度；Leff为器件的长度；NF为finger个数；multi为器件数量；sqrt函数为平方根计算。
4.如权利要求1所述MOSFET器件之全局工艺角模型的建模方法，其特征在于，针对开启电压vth0，
vth0global＝vth0total-3vth0mismatch/sqrt(Weff×Leff×NF×multi)
其中，Weff为器件的宽度；Leff为器件的长度；NF为finger个数；multi为器件数量；sqrt函数为平方根计算。
5.如权利要求1所述MOSFET器件之全局工艺角模型的建模方法，其特征在于，针对迁移率u0，
u0global＝u0total-3u0mismatch/sqrt(Weff×Leff×NF×multi)
其中，Weff为器件的宽度；Leff为器件的长度；NF为finger个数；multi为器件数量；sqrt函数为平方根计算。
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