[发明专利]一种铝垫层析出的监测结构及其监测方法在审
申请号: | 201711393084.X | 申请日: | 2017-12-21 |
公开(公告)号: | CN108133899A | 公开(公告)日: | 2018-06-08 |
发明(设计)人: | 胡永锋;王焱;陈雷刚;周柯 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铝垫 网格 铝线 析出 测试 铝垫层 监测结构 判定 监测 漏电 实际电流 电连接 短路 预设 顶层金属层 电压施加 范围覆盖 间距设置 铝析出 输入端 网格状 通孔 施加 | ||
1.一种铝垫层析出的监测结构,其特征在于,所述铝垫层析出的监测结构,包括:
第一测试铝垫和第二测试铝垫,所述第一测试铝垫和所述第二测试铝垫用于外测电压施加的输入端;
网格铝线,所述网格铝线呈网格状设置,并与所述第一测试铝垫电连接;
微型铝垫,所述微型铝垫设置在所述网格铝线之网格内,并与所述网格铝线成间距设置,且所述微型铝垫通过通孔及顶层金属层与所述第二测试铝垫电连接。
2.如权利要求1所述铝垫层析出的监测结构,其特征在于,所述网格铝线和所述微型铝垫的宽度均遵循最小尺寸设计规则。
3.如权利要求2所述铝垫层析出的监测结构,其特征在于,所述网格铝线和所述微型铝垫的宽度范围均为1~5μm。
4.如权利要求1所述铝垫层析出的监测结构,其特征在于,所述微型铝垫与所述网格铝线之间的间距满足最小尺寸设计规则。
5.如权利要求4所述铝垫层析出的监测结构,其特征在于,所述微型铝垫与所述网格铝线之间的间距范围为1~5μm。
6.如权利要求1所述铝垫层析出的监测结构,其特征在于,在满足切割道宽度,第一测试铝垫和第二测试铝垫间的宽度,及网格铝线之宽度和微型铝垫之宽度所遵循的最小尺寸设计规则,微型铝垫与网格铝线之间的间距之最小尺寸设计规则的前提下,所述网格铝线和所述微型铝垫组成的网格排列数最多。
7.如权利要求6所述铝垫层析出的监测结构,其特征在于,所述网格铝线和所述微型铝垫组成的网格排列数之行数依据切割道宽度、微型铝垫之尺寸、微型铝垫之间距进行设置。
8.如权利要求6所述铝垫层析出的监测结构,其特征在于,所述网格铝线和所述微型铝垫组成的网格排列数之列数依据第一测试铝垫和第二测试铝垫间的宽度、微型铝垫之尺寸、微型铝垫之间距进行设置。
9.如权利要求6所述铝垫层析出的监测结构,其特征在于,所述网格铝线和所述微型铝垫组成的网格排列数之行数小于等于7,所述网格铝线和所述微型铝垫组成的网格排列数之列数小于等于4。
10.如权利要求1所述铝垫层析出的监测结构,其特征在于,所述铝垫层析出的监测结构之幅宽为60~80μm。
11.一种如权利要求1所述铝垫层析出的监测方法,其特征在于,所述铝垫层析出的监测方法,包括:
执行步骤S1,获取无铝析出之晶圆的网格铝线与微型铝垫之间的电流值,并将所述电流值设定为预设判定漏电规格值;
执行步骤S2:在所述第一测试铝垫和所述第二测试铝垫之间施加外测电压,获得所述网格铝线与所述微型铝垫之间的实际电流值,比较所述实际电流值与所述预设判定漏电规格值;
执行步骤S3:根据所述实际电流值与所述预设判定漏电规格值之比较结果,判定铝析出会造成短路的风险等级。
12.如权利要求11所述铝垫层析出的监测方法,其特征在于,在所述第一测试铝垫和所述第二测试铝垫之间施加外测电压,当器件存在铝析出时,则所述网格铝线与所述微型铝垫之间的实际电流值大于所述预设判定漏电规格值,即判定铝析出会造成短路风险。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造