[发明专利]用于多层套刻精度测量的标记系统及量测方法在审
申请号: | 201711394225.X | 申请日: | 2017-12-21 |
公开(公告)号: | CN107861340A | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | 赵彬;王剑;戴韫青 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F9/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 多层 精度 测量 标记 系统 方法 | ||
1.一种用于多层套刻精度测量的标记系统,其特征在于,所述用于多层套刻精度测量的标记系统包括至少两个以上的套刻标记,各套刻标记均表征不同的光刻层,且所述各套刻标记之间的相对位置已知。
2.如权利要求1所述用于多层套刻精度测量的标记系统,其特征在于,所述用于多层套刻精度测量的标记系统之套刻标记呈“+”形设置。
3.如权利要求1所述用于多层套刻精度测量的标记系统,其特征在于,用于多层套刻精度测量的标记系统之套刻标记宽度尺寸为100nm~10μm。
4.如权利要求1所述用于多层套刻精度测量的标记系统,其特征在于,用于多层套刻精度测量的标记系统之套刻标记外形轮廓尺寸为1~100μm。
5.一种如权利要求1所述用于多层套刻精度测量的标记系统之量测方法,其特征在于,所述用于多层套刻精度测量的标记系统之量测方法,包括,
执行步骤S1:在光刻版图中设置用于多层套刻精度测量的标记系统,并通过光刻工艺将所述用于多层套刻精度测量的标记系统之套刻标记转移至晶圆上;
执行步骤S2:量测机台在用于多层套刻精度测量的标记系统之套刻标记所在的焦平面对所述套刻标记拍照获得图像信息,并对所述图像信息进行处理,进而测得图像中两两图形之间的相对偏移值,即为套刻精度值。
6.如权利要求5所述用于多层套刻精度测量的标记系统之量测方法,其特征在于,对所述量测机台所获得的图像信息进行处理,为通过软件程式将所述图像信息转换为坐标数字。
7.如权利要求5所述用于多层套刻精度测量的标记系统之量测方法,其特征在于,用于多层套刻精度测量的标记系统之套刻标记呈“+”形设置。
8.如权利要求7所述用于多层套刻精度测量的标记系统之量测方法,其特征在于,所述用于多层套刻精度测量的标记系统包括3~5个套刻标记。
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