[发明专利]一种HJT异质结电池及其多层透明导电薄膜

说明书

一种多层透明导电薄膜及其制备方法，所述多层透明导电薄膜包括至少两层叠加的透明导电薄膜，至少两层透明导电薄膜均为ITO薄膜，所述第一层ITO薄膜的锡的掺量为10‑15重量％，所述第二层ITO薄膜的锡的掺量≥5重量％且＜10重量％；所述制备方法包括：在真空条件下连续制备多层ITO薄膜，并且在一层ITO薄膜与另一层ITO薄膜的过渡过程中，维持真空状态。本申请还提供了一种包括上述多层透明导电薄膜的HJT异质结电池。本申请的多层透明导电薄膜的光电性能较好，与p、n型非晶硅层的功函数匹配；HJT电池的各项性能指标都得到了提升。

技术领域

本申请涉及但不限于太阳能电池工艺技术领域，特别涉及但不限于一种HJT异质结电池及其多层透明导电薄膜。

背景技术

异质结非晶硅/晶硅太阳能电池HJT(Hetero-junction with Intrinsic Thinlayer，简称HJT)是目前主流的高效太阳能电池。其基本结构通常如图1所示，包含1：晶体硅；2：本征非晶硅层；3：p型非晶硅层；4：n型非晶硅层；5：透明导电薄膜层；6：正面栅线；7：背面栅线。

氧化铟锡薄膜(Indium Oxide doped Tin Film，简称ITO)由于具有低电阻率、高可见光透过率等优良的物理特性，被广泛应用于HJT太阳能电池的透明导电薄膜层。

ITO在HJT电池中起着导电和减反射膜的作用。目前广泛使用的ITO均为单层膜。作为减反膜，传统的1/4波长单ITO层膜仅对特定波长的小角度入射有很好的减反射效果。为了更好地满足HJT电池的减反射要求，多层减反膜应运而生。

发明内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本申请提供了一种能够改善HJT太阳能电池性能的多层透明导电薄膜。

具体地，本申请提供了一种多层透明导电薄膜，所述多层透明导电薄膜包括至少两层叠加的透明导电薄膜，至少两层透明导电薄膜均为ITO薄膜，所述第一层ITO薄膜的锡的掺量为10-15重量％，所述第二层ITO薄膜的锡的掺量≥5重量％且＜10重量％。

在一些实施方式中，所述多层透明导电薄膜还可以包括第三层ITO薄膜，所述第一层ITO薄膜、所述第二层ITO薄膜和所述第三层ITO薄膜按顺序设置，所述第三层ITO薄膜的锡的掺量可以≥1重量％且＜5重量％，或为10-15重量％。

在一些实施方式中，所述第一层ITO薄膜的锡的掺量可以为10重量％，所述第二层ITO薄膜的锡的掺量可以为5重量％，所述第三层ITO薄膜的锡的掺量可以为3重量％。

在一些实施方式中，所述多层透明导电薄膜还可以包括第四层ITO薄膜，所述第一层ITO薄膜、所述第二层ITO薄膜、所述第三层ITO薄膜和所述第四层ITO薄膜按顺序设置，所述第四层ITO薄膜的锡的掺量可以为10-15重量％。

在一些实施方式中，所述第一层ITO薄膜的锡的掺量可以为10重量％，所述第二层ITO薄膜的锡的掺量可以为5重量％，所述第三层ITO薄膜的锡的掺量可以为3重量％，所述第四层ITO薄膜的锡的掺量可以为10重量％。

在一些实施方式中，每一层ITO薄膜的厚度可以在15-50nm的范围内。

在一些实施方式中，每一层ITO薄膜的折射率n可以在1.8-2.0的范围内，禁带宽度可以在3.0-4.6eV的范围内，载流子浓度可以在(1-10)×10²⁰cm^-3的范围内，载流子迁移率可以在10-50cm²/vs的范围内。

本申请还提供了如上所述的多层透明导电薄膜的制备方法，所述方法包括：在真空条件下连续制备多层ITO薄膜，并且在一层ITO薄膜与另一层ITO薄膜的过渡过程中，维持真空状态。