[发明专利]AMOLED显示面板及其修复方法在审
申请号: | 201711395719.X | 申请日: | 2017-12-21 |
公开(公告)号: | CN108172599A | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 易士娟 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;黄进 |
地址: | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数据线 修复线 第二区域 第一区域 外围线路区 修复 绝缘相交 显示区 短路 区域延伸 设置数据 显示画面 显示异常 可接受 延伸 良率 像素 配置 | ||
本发明公开了一种AMOLED显示面板及其修复方法,所述AMOLED显示面板包括显示区和外围线路区,所述显示区中设置数据线,所述外围线路区包括第一区域、第二区域和第三区域,所述数据线的一端延伸至第一区域,另一端延伸至第二区域;所述外围线路区中设置有修复线,所述修复线从所述第一区域经由所述第三区域延伸至所述第二区域,所述修复线在所述第一区域中与数据线绝缘相交,所述修复线在所述第二区域中与数据线绝缘相交;所述修复线被配置为当所述数据线在所述显示区内发生短路时对所述数据线进行修复。本发明可以对出现短路不良的数据线进行修复,将显示画面中存在显示异常的像素减少到可接受的范围内,提高最终产品的良率。
技术领域
本发明涉及显示器技术领域,尤其涉及一种AMOLED显示面板及其修复方法。
背景技术
平板显示广泛应用于电视、计算机、平板电脑及智能手机等各类电子产品中,在电子信息产业中具有举足轻重的作用。作为平板显示的新兴代表,AMOLED(Active MatrixOrganic Light Emitting Diode,有源矩阵有机发光二极管)显示面板具有自主发光、视角宽、色彩鲜艳、对比度高、工作温度范围宽及适于柔性显示等优点,近年来发展势头迅猛。
AMOLED显示面板中包括纵横交错的数据线和扫描线,还包括位于数据线和扫描线的交叉区域的像素结构,多个像素结构呈矩阵阵列排布。一个典型的AMOLED像素结构由两个薄膜晶体管(2T,T表示Transistor)、一个存储电容(1C,C表示Capacitor)及有机发光二极管OLED构成,呈2T1C结构。其中,一个晶体管作为开关管,用于控制数据线对存储电容进行充电的通路;另外一个晶体管则作为驱动管,接收驱动电源(Vdd)并为OLED提供驱动电流;存储电容则主要用于在OLED发光阶段维持施加在驱动管栅极的驱动电压。其中,为了向像素结构输入驱动电源,AMOLED显示面板中还包括多条电源线,通常是每一列像素结构配置有一条电源线,位于同一列的所有像素结构均连接到相同的一条电源线,从所述电源线获取驱动电源。
随着AMOLED显示面板PPI(Pixels Per Inch,每英寸所拥有的像素数目)越来越高,显示面板中信号走线的间距越来越小,数据线与其他信号线发生短路是显示面板中一种较为常见的缺陷,特别是数据线和与其并排的电源线发生短路的问题。参阅图1和图2,由于AMOLED显示面板存在导电微粒(particle)1,导电微粒1会使得相邻的数据线2和电源线3发生短路(这样的现象也可能会发生在数据线与其他信号线之间)。数据线2发生短路则会导致与该数据线2连接的一整列像素Px的显示都发生异常,如图2所示,在显示画面中形成线缺陷4(对应于一整列像素),这样的缺陷是无法接受的,存在线缺陷4的AMOLED显示面板都会被判定为不合格品。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种AMOLED显示面板及其修复方法,通过对出现短路不良的数据线进行修复,将显示画面中存在显示异常的像素减少到可接受的范围内,提高最终产品的良率。
为了实现上述的目的,本发明采用了如下的技术方案:
一种AMOLED显示面板,包括显示区和外围线路区,所述显示区中设置数据线,所述外围线路区包括位于所述显示区的相对两侧的第一区域和第二区域,还包括连接所述第一区域和第二区域的第三区域,所述数据线的一端延伸至所述第一区域,所述数据线的另一端延伸至所述第二区域;
所述外围线路区中设置有修复线,所述修复线从所述第一区域经由所述第三区域延伸至所述第二区域,所述修复线在所述第一区域中与所述数据线绝缘相交,所述修复线在所述第二区域中与所述数据线绝缘相交;所述修复线被配置为当所述数据线在所述显示区内发生短路时对所述数据线进行修复。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的