[发明专利]上电复位电路及集成电路和EEPROM系统有效
申请号: | 201711395766.4 | 申请日: | 2017-12-21 |
公开(公告)号: | CN108111150B | 公开(公告)日: | 2021-08-13 |
发明(设计)人: | 赵犇;宋金星;孔非凡 | 申请(专利权)人: | 上海贝岭股份有限公司 |
主分类号: | H03K17/22 | 分类号: | H03K17/22 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 薛琦;罗朗 |
地址: | 200233 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复位 电路 集成电路 eeprom 系统 | ||
本发明公开了一种上电复位电路及集成电路和EEPROM系统,其中上电复位电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第一电容器、第二电容器和一电阻。本发明提供的上电复位电路,通过设置电阻的阻值和第一电容器的电容值,可设置上电复位电路的复位阈值电平,实现低功耗、复位阈值电平可变的复位电路。另外,该上电复位电路具有版图面积小、功耗低、成本低等优点,可集成在一集成电路中,也可集成在一EEPROM系统中。
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域,特别涉及一种低功耗、复位阈值电平可设置的上电复位电路,该上电复位电路可集成在一集成电路中,也可集成在一EEPROM系统中。
背景技术
如图1所示,传统的上电复位电路常利用电阻R和电容C组成的RC(阻容)电路构成复位电路,其中非门电路A1、A2用于整形以提高电路抗干扰能力,在上电过程中,随着电源VDD的电压值上升,输出端Vo将输出一个由低到高的复位信号,该电路的优点是结构简单且静态功耗低,缺点需要大面积的电阻、电容及一定数量的晶体管。
如图2所示,传统的掉电检测电路常利用电阻生成分压电压来获知电源情况,然后使用比较器将该分压电压与一固定阈值电压(比如带隙基准电压电路输出的电压)比较,比如当该分压电压低于该固定阈值电压时,在输出端Vo处输出掉电信号,故掉电检测电路的优点在于其固定阈值电压可设定,缺点是为了保证较低的静态功耗同样需要较大面积的串联电阻,并且需要较多的晶体管。
一方面,上电复位电路作为EEPROM系统的重要组成部分,在电源电压上升到某一复位阈值电平后,上电复位电路为整个系统提供内部复位信号,以保证整个系统正常工作。另一方面,由于EEPROM电路的可编程特点,还需要掉电检测电路来确保EEPROM的电源电压在编程时是稳定的,从而保障数据编程安全。因此,EEPROM系统需要同时采用上述两块不同功能的电路,造成电路结构与版图面积变得臃肿庞大,这就给需要高度集成的EEPROM系统造成了较大的版图面积与成本压力。
发明内容
本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术中复位电路需要大面积的电阻、电容及一定数量的晶体管的缺陷,提供一种低功耗、复位阈值电平可设置的上电复位电路,鉴于该上电复位电路占用版图面积小、功耗低、成本低,可将该上电复位电路集成在一集成电路中,还可将该上电复位电路集成在一EEPROM系统中。
本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题:
本发明提供一种上电复位电路,其特点是,包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第一电容器、第二电容器和一电阻;
所述第一MOS管的源极分别与所述第二MOS管的源极、所述第四MOS管的源极和所述第二电容器的一端连接后作为供电电源的正极输入端;所述第一MOS管的漏极分别与所述电阻的一端、所述第一电容器的一端、所述第二MOS管的漏极、所述第四MOS管的栅极和所述第五MOS管的栅极连接;所述第一MOS管的栅极分别与所述第三MOS管的源极、所述第一电容器的另一端、所述第五MOS管的源极连接后作为所述供电电源的负极输入端;所述第三MOS管的漏极与所述电阻的另一端连接,所述第三MOS管的栅极分别与所述第二MOS管的栅极、所述第四MOS管的漏极、所述第五MOS管的漏极和所述第二电容器的另一端连接后作为复位输出端;
所述第一MOS管、所述第二MOS管和所述第四MOS管均为PMOS管,所述第三MOS管和所述第五MOS管均NMOS管;
所述第一MOS管、所述第二MOS管、所述第三MOS管、所述第四MOS管和所述第五MOS管中,所述第三MOS管的开启电压的绝对值最小。
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