[发明专利]垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步骤：

提供N型衬底，在所述N型衬底上依序形成N型外延层、栅氧化层及第一多晶硅；

对所述第一多晶硅进行光刻与刻蚀，从而形成贯穿所述第一多晶硅且对应所述栅氧化层的两个开口；

利用所述两个开口进行P型离子注入及驱入，使得所述N型外延层邻近所述栅氧化层的表面对应所述两个开口的位置分别形成P型体区；

在所述开口处的栅氧化层上及所述第一多晶硅上形成氮化硅；

对所述氮化硅进行刻蚀，去除所述第一多晶硅上及所述P型体区上的氮化硅以及所述开口下方的部分栅氧化层，所述第一多晶硅侧壁的氮化硅侧墙被保留；

在所述第一多晶硅顶部、所述氮化硅侧墙上、所述栅氧化层侧壁及所述P型体区表面形成第二多晶硅；

对所述第二多晶硅进行热处理，使得所述第二多晶硅内的N型杂质扩散到所述P型体区表面，从而在所述P型体区表面形成N型源区，并且所述第二多晶硅被氧化成为二氧化硅；

形成贯穿所述开口处的二氧化硅、所述N型源区并延伸至所述P型体区中的接触孔；

在所述二氧化硅远离所述第一多晶硅的一侧形成正面金属以及在所述N型衬底远离所述N型外延层一侧形成背面金属，所述正面金属经由所述接触孔连接所述P型体区。

2.如权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法，其特征在于：所述栅氧化层在所述N型外延层上生长而成，所述栅氧化层生长温度在900摄氏度～1100摄氏度的范围内，厚度在0.05um～0.2um的范围内。

3.如权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法，其特征在于：所述第一多晶硅的生长温度在500摄氏度～900摄氏度的范围内，厚度在0.3um～1um的范围内。

4.如权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法，其特征在于：所述P型体区的注入离子包括硼，所述注入的能量在100KEV至300KEV的范围内；对进行P型体区的驱入的步骤的温度在1100摄氏度到1200摄氏度的范围内，时间在50分钟到200分钟的范围内。

5.如权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法，其特征在于：所述氮化硅生长温度在600摄氏度～1100摄氏度的范围内，厚度在0.05um～0.3um的范围内。

6.如权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法，其特征在于：所述第二多晶硅的生长温度在500摄氏度～900摄氏度的范围内，厚度在0.3um～1um的范围内。

7.如权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法，其特征在于：所述热处理的温度在900摄氏度～1300摄氏度的范围内，所述第二多晶硅氧化成的二氧化硅的厚度在0.6um～2um的范围内。

8.如权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法，其特征在于：所述正面金属的材料包括铝合金、硅合金、或铜合金。

9.如权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法，其特征在于：所述背面金属包括钛、镍、银的复合层。