[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制造方法以及显示面板和显示装置

说明书

公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法以及显示面板和显示装置，其中通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺在包含金属的金属绝缘层上设置结晶氧化物半导体。该氧化物TFT包括：包含金属的金属绝缘层；与所述金属绝缘层相邻的结晶氧化物半导体；包含金属的栅极；位于所述结晶氧化物半导体与所述栅极之间的栅极绝缘层；位于所述结晶氧化物半导体的一端中的第一导体；和位于所述结晶氧化物半导体的另一端中的第二导体。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年12月30提交的韩国专利申请No.10-2016-0184468的权益。

技术领域

本发明涉及一种氧化物薄膜晶体管(TFT)及其制造方法、包括氧化物TFT的显示面板和包括显示面板的显示装置。

背景技术

平板显示(FPD)装置应用于各种电子产品，比如便携式电话、平板个人电脑(PC)、笔记本PC等。FPD装置的例子包括液晶显示(LCD)装置、有机发光显示装置等。近来，电泳显示装置(EPD)被广泛用作一种FPD装置。

在FPD装置(下文中简称为显示装置)之中，LCD装置通过使用液晶显示图像，有机发光显示装置使用自发光的自发光器件。

构成显示装置的显示面板包括用于显示图像的多个开关元件。每个开关元件可配置有TFT。TFT可由非晶硅半导体、多晶硅半导体或氧化物半导体形成。包括氧化物半导体的TFT称为氧化物TFT。

通过溅射工艺制造氧化物TFT。

特别是，通过使用溅射工艺的低温膜形成工艺形成非晶氧化物TFT。为了制造结晶氧化物TFT，例如，以300℃或更高的温度执行高温膜形成工艺，然后额外执行热处理。

因为非晶氧化物TFT和结晶氧化物TFT具有不同的特性，所以非晶氧化物TFT和结晶氧化物TFT各自应用于各种领域。特别是，因为结晶氧化物TFT可靠性较好，所以越来越多地使用结晶氧化物TFT。

然而，如上所述，为了制造相关技术的结晶氧化物TFT，应当执行高温膜形成工艺。然而，难以将高温膜形成工艺应用于包括大屏幕的显示面板。

而且，因为在高温膜形成工艺之后应当执行热处理工艺，所以工艺变得复杂。

而且，在执行相关技术的高温膜形成工艺和热处理的情形中，不能自由设定晶体方向(crystal direction)。

发明内容

因此，本发明旨在提供一种基本上克服了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的氧化物TFT及其制造方法、包括氧化物TFT的显示面板和包括显示面板的显示装置。

本发明的一个方面旨在提供一种氧化物TFT及其制造方法、包括氧化物TFT的显示面板和包括显示面板的显示装置，其中通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺在包含金属的金属绝缘层上设置结晶氧化物半导体。

在下面的描述中将部分列出本发明的附加优点和特征，这些优点和特征的一部分根据下面的解释对于所属领域普通技术人员将变得显而易见或者可通过本发明的实施领会到。通过说明书、权利要求书以及附图中具体指出的结构可实现和获得本发明的这些目的和其他优点。

为了实现这些和其他优点并根据本发明的意图，如在此具体化和概括描述的，提供了一种氧化物TFT，包括：包含金属的金属绝缘层；与所述金属绝缘层相邻的结晶氧化物半导体；包含金属的栅极；位于所述结晶氧化物半导体与所述栅极之间的栅极绝缘层；位于所述结晶氧化物半导体的一端中的第一导体；和位于所述结晶氧化物半导体的另一端中的第二导体。