[发明专利]氧化铜纳米晶及银/氧化铜异质结构的制备方法

权利要求书

1.一种氧化铜纳米晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）在具有亲水性表面的基底上形成一层铜盐水溶液，在气体气流下蒸发所述铜盐水溶液中的水，所述基底为云母片、具有磨砂面的硅片或磨砂玻璃面；

（2）干燥经步骤（1）处理过的铜盐水溶液，使其中的水挥发，在所述基底表面形成铜盐前驱体纳米晶；

（3）将步骤（2）处理过的基底进行分步煅烧，在基底表面形成所述氧化铜纳米晶；其中分步煅烧条件包括：以2.5℃/min的速率从100℃升温至250℃；然后在250℃下恒温保持4h；

在步骤（1）中，铜盐水溶液的浓度为0.05-1.5mol/L，蒸发时间为5s，气体气流的流速为200cm³/s-400cm³/s，形成在基底表面直立生长的纳米片；或

在步骤（1）中，铜盐水溶液的浓度为1.5mol/L，蒸发时间为5-30s，气体气流的流速为400cm³/s-800cm³/s，形成球状的纳米微结构；或

在步骤（1）中，铜盐水溶液的浓度为1.5mol/L，蒸发时间为30s，气体气流的流速为200cm³/s-400cm³/s，形成球状的纳米微结构，其表面具有花状结构。

2.根据权利要求1所述的氧化铜纳米晶的制备方法，其特征在于：在步骤（1）中，铜盐为硝酸铜。

3.根据权利要求1所述的氧化铜纳米晶的制备方法，其特征在于：在步骤（1）中，所述气体气流为氮气流或惰性气体气流。

4.根据权利要求1所述的氧化铜纳米晶的制备方法，其特征在于：在步骤（2）中，干燥时间为2-4h。

5.根据权利要求1所述的氧化铜纳米晶的制备方法，其特征在于：在步骤（3）中，分步煅烧还包括以5℃/min的速率从25℃升温至100℃的步骤。

6.一种银/氧化铜异质结构的制备方法，其特征在于，采用权利要求1-5中任一项所述的制备方法所制备的氧化铜纳米晶，之后还包括以下步骤：

（4）将带有氧化铜纳米晶的基底浸入银盐的水溶液，以醇类作为空穴清除剂，在自然光下光照，使得银纳米颗粒负载在氧化铜表面，得到所述银/氧化铜异质结构；所述银盐的浓度为0.1M-1 M，所述银盐为硝酸银；所述银盐的水溶液中含有10-30%体积的醇类。

7.根据权利要求6所述的银/氧化铜异质结构的制备方法，其特征在于：在步骤（4）中，所述醇类为异丙醇或乙醇。