[发明专利]传感器微系统封装方法及传感器微系统在审
申请号: | 201711396722.3 | 申请日: | 2017-12-21 |
公开(公告)号: | CN109950237A | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | 黄玲玲 | 申请(专利权)人: | 北京万应科技有限公司 |
主分类号: | H01L25/18 | 分类号: | H01L25/18;H01L23/535;B81B7/02;B81C3/00 |
代理公司: | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 11012 | 代理人: | 黄姝 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功能芯片 晶圆 晶圆级封装 传感器微系统 传感器芯片 封装 筑坝 通孔 处理器芯片 覆盖传感器 控制器芯片 工作性能 电互连 互连线 硅胶 软胶 填充 制作 芯片 组装 覆盖 | ||
1.一种传感器微系统封装方法,其特征在于,包括:
将功能芯片晶圆进行晶圆级封装,得到晶圆级封装功能芯片晶圆,所述功能芯片晶圆包括处理器芯片或者控制器芯片;
在所述功能芯片晶圆对应的位置,将传感器芯片与所述晶圆级封装功能芯片晶圆的正面进行组装电互连;
制作覆盖所述晶圆级封装功能芯片晶圆的筑坝框,并在所述筑坝框上制作与所述传感器芯片对应的通孔;
将所述筑坝框固定在所述晶圆级封装功能芯片晶圆的正面,并使所述传感器芯片置于所述通孔内;
在所述通孔内填充覆盖所述传感器芯片的软胶或硅胶,得到包含有所述晶圆级封装功能芯片晶圆和所述传感器芯片的传感器微系统晶圆。
2.如权利要求1所述的传感器微系统封装方法,其特征在于,所述将功能芯片晶圆进行晶圆级封装,得到晶圆级封装功能芯片晶圆,具体包括:
在所述功能芯片晶圆的背面制作穿透所述功能芯片晶圆与所述功能芯片晶圆的正面的上表面焊盘连通的互连通道;
在所述功能芯片晶圆的背面和所述互连通道内制作与所述上表面焊盘电连接的金属线路层;
在所述金属线路层上,通过光刻工艺制作电路图形;
制作覆盖所述金属线路层的阻焊层,并在所述电路图形对应的位置去除所述阻焊层形成焊盘;
在所述焊盘上制作金属层,得到所述晶圆级封装功能芯片晶圆。
3.如权利要求1所述的传感器微系统封装方法,其特征在于,所述在所述处理器芯片对应的位置,将传感器芯片与所述晶圆级封装功能芯片晶圆的正面进行组装电互连,具体包括:
在所述处理器芯片对应的位置,将所述传感器芯片与所述晶圆级封装功能芯片晶圆的正面通过拾起-贴片工艺进行组装,并通过引线键合方式使所述传感器芯片与所述功能芯片晶圆电连接。
4.如权利要求1所述的传感器微系统封装方法,其特征在于,所述在所述处理器芯片晶圆对应的位置,将传感器芯片与所述晶圆级封装功能芯片晶圆的正面进行组装电互连,具体包括:
在所述处理器芯片晶圆对应的位置,将所述传感器芯片与所述晶圆级封装功能芯片晶圆的正面通过拾起-贴片工艺进行组装,并通过导电胶方式使所述传感器芯片与所述功能芯片晶圆电连接。
5.如权利要求1-4任一项所述的传感器微系统封装方法,其特征在于,所述在所述通孔内填充覆盖所述传感器芯片的软胶或硅胶,得到包含有所述晶圆级封装功能芯片晶圆和所述传感器芯片的传感器微系统晶圆,之后还包括:
在所述晶圆级封装功能芯片晶圆的背面制作焊球阵列球;
在所述筑坝框对应的位置,对所述晶圆级封装功能芯片晶圆和所述传感器芯片进行划切,得到包含有晶圆级封装功能芯片晶圆和传感器芯片的传感器微系统级封装结构。
6.一种传感器微系统,其特征在于,包括:采用晶圆级封装的晶圆级封装功能芯片晶圆、以及设置在所述晶圆级封装功能芯片晶圆的正面的传感器芯片,所述晶圆级封装功能芯片晶圆上设有功能芯片晶圆,所述功能芯片晶圆包括处理器芯片或者控制器芯片,所述传感器芯片与所述功能芯片晶圆电连接,所述晶圆级封装功能芯片晶圆的正面设有覆盖所述晶圆级封装功能芯片晶圆的筑坝框,所述筑坝框上设有与所述传感器芯片对应的通孔,所述通孔内设有覆盖所述传感器芯片的软胶或硅胶。
7.如权利要求6所述的传感器微系统,其特征在于,所述功能芯片晶圆的正面设有上表面焊盘,所述功能芯片晶圆的背面设有与所述上表面焊盘连通的互连通道,在所述功能芯片晶圆的背面和所述互连通道内设有与所述上表面焊盘电连接的金属线路层,在所述金属线路层上设有焊盘和覆盖所述金属线路层的阻焊层,所述阻焊层上与所述焊盘对应的位置设有开窗,所述焊盘上设有金属层。
8.如权利要求6所述的传感器微系统,其特征在于,所述传感器芯片通过贴片胶与所述晶圆级封装功能芯片晶圆的正面连接,并通过键合线与所述功能芯片晶圆电连接。
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