[发明专利]结型场效应晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种结型场效应晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步骤：

提供P型硅衬底，在所述P型硅衬底上形成P型外延层，在所述P型外延层上形成N型外延层；

提供第一光刻板，所述第一光刻板包括对应栅极的矩形环图案及位于所述矩形环图案中的多条沿所述矩形环的长度方向延伸的条状图案，所述多条条状图案之间具有间隔区域；

利用所述第一光刻板对所述N型外延层进行多次第一离子注入，使得所述第一离子对应所述第一光刻板的矩形环图案及条状图案注入所述N型外延层并且延伸至所述P型外延层表面；

提供第二光刻板，所述第二光刻板包括矩形图案，所述矩形图案的长度方向垂直于所述多条条状图案且覆盖所述多条 条状图案及相邻条状 图案之间的间隔区域的中央部分；

利用所述第二光刻板对所述N型外延层表面进行第二离子注入，使得所述第二离子对应所述矩形图案注入所述N型外延层表面，所述第一离子与所述第二离子相同；

对注入的所述第一及第二离子进行高温推进，使得所述第一及第二离子在所述N型外延层均匀分布，从而在所述N型外延层中形成P型栅极区域，所述P型栅极区域包括第一部分、第二部分及第三部分，所述第一部分对应所述矩形环图案且贯穿所述N型外延层并延伸至所述P型外延层表面，所述第二部分位于第一部分的环形之中、对应多个条状区域、贯穿所述N型外延层并延伸至所述P型外延层表面，所述第三部分对应所述矩形图案、位于所述N型外延层表面及所述第二部分表面、且连接于所述第一部分的矩形环的长边之间；

在所述N型外延层及所述P型栅极区域表面形成介质层，在所述介质层形成贯穿的第一通孔与第二通孔，所述第一通孔对应所述条状区域及矩形区域的第一侧与所述矩形环区域之间的N型外延层，所述第二通孔对应所述条状区域与矩形区域的第二侧与所述矩形环区域之间的N型外延层，利用所述第一通孔及第二通孔进行N型注入及退火激活，从而在所述N型外延层表面形成第一及第二N型区域；

在所述介质层上形成第一金属部及第二金属部以及在所述P型衬底远离所述P型外延层的表面形成背面金属，所述第一金属部通过所述第一通孔连接所述第一N型区域，所述第二金属部通过所述第二通孔连接所述第二N型区域。

2.如权利要求1所述的结型场效应晶体管的制作方法，其特征在于：所述P型外延层的电阻率在3Ohm·cm至20Ohm·cm之间的范围内，所述P型外延层的厚度在2um至10um的范围内，所述N型外延层的电阻率在3Ohm·cm至20Ohm·cm之间的范围内，所述N型外延层的厚度在2um至10um的范围内。

3.如权利要求1所述的结型场效应晶体管的制作方法，其特征在于：所述多次第一离子注入的注入离子包括硼，单次注入能量在30kev至100kev的范围内。

4.如权利要求1所述的结型场效应晶体管的制作方法，其特征在于：所述第二离子注入的注入离子包括硼，注入能量在30kev至100kev的范围内。

5.如权利要求1所述的结型场效应晶体管的制作方法，其特征在于：对注入的所述第一及第二离子进行高温推进的步骤中，推进温度在1000摄氏度至1200摄氏度的范围内，推进时间在30分钟到360分钟的范围内。

6.如权利要求1所述的结型场效应晶体管的制作方法，其特征在于：所述介质层采用LPCVD的方式形成，通过光刻及刻蚀在所述介质层形成贯穿的所述第一通孔与所述第二通孔。

7.如权利要求1所述的结型场效应晶体管的制作方法，其特征在于：所述N型注入的注入离子包括P；所述退火的温度在800摄氏度到1100摄氏度的范围内，所述退火的时间在20分钟至60分钟的范围内。

8.如权利要求1所述的结型场效应晶体管的制作方法，其特征在于：所述第一金属部与第二金属部在同一道光刻刻蚀步骤中形成，所述第一金属部的宽度比所述第一N型区域的宽度大0.5微米以上，所述第二金属部的宽度比所述第二N型区域的宽度大0.5微米以上。