[发明专利]射频器件封装体及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件封装体，包括：

包括射频器件的集成电路芯片，其中所述射频器件包括在所述集成电路芯片的第一表面处的有源电路；和

天线衬底，设置在所述集成电路芯片的所述第一表面之上，所述天线衬底包括：

第一导电层，设置在所述集成电路芯片的所述第一表面之上，其中所述第一导电层包括电耦合到所述集成电路芯片的第一传输线，

第一层压层，设置在所述第一导电层之上，其中所述第一层压层与所述第一传输线的第一部分重叠，

第二导电层，设置在所述第一层压层之上，其中所述第二导电层包括与所述第一传输线的第二部分重叠的第一开口，

第二层压层，设置在所述第二导电层之上，

第一天线，设置在所述第二层压层之上并且与所述第一开口、所述第一传输线的所述第二部分以及所述集成电路芯片重叠，

第二传输线，设置在所述第一导电层中，以及

第二天线，设置在所述第二层压层之上并且与所述第二传输线的部分重叠。

2.根据权利要求1所述的半导体器件封装体，还包括：底部填充层，设置在所述集成电路芯片和所述第一导电层之间。

3.根据权利要求1所述的半导体器件封装体，其中，所述第二导电层是接地平面。

4.根据权利要求1所述的半导体器件封装体，其中，所述天线衬底还包括：第二开口，在所述第二导电层中，其中所述第二开口与所述第二传输线的所述部分重叠，并且其中所述第二天线与所述第二开口重叠。

5.根据权利要求4所述的半导体器件封装体，其中，所述第二天线与所述集成电路芯片重叠。

6.根据权利要求4所述的半导体器件封装体，其中，所述第二天线不与所述集成电路芯片重叠。

7.根据权利要求1所述的半导体器件封装体，还包括：导电柱，所述导电柱电耦合到所述集成电路芯片和所述第一导电层。

8.根据权利要求1所述的半导体器件封装体，还包括模制化合物区域，其中所述集成电路芯片被设置在所述模制化合物区域中。

9.根据权利要求8所述的半导体器件封装体，还包括过孔，所述过孔设置在所述模制化合物区域中并且电耦合到所述第二导电层。

10.根据权利要求1所述的半导体器件封装体，还包括：

小焊料球，设置在所述集成电路芯片与所述第一导电层之间并且电耦合到所述集成电路芯片和所述第一导电层；和

大焊料球，设置成与所述集成电路芯片相邻并且电耦合到所述第一导电层，其中所述大焊料球的最大垂直高度大于所述集成电路芯片的最大垂直高度。

11.根据权利要求1所述的半导体器件封装体，还包括：

第三导电层，设置在所述集成电路芯片和所述第一导电层之间；和

第三层压层，设置在所述第三导电层和所述第一导电层之间，其中所述第三导电层被电耦合到所述集成电路芯片，并且其中所述第三导电层是接地平面。

12.根据权利要求1所述的半导体器件封装体，

其中所述半导体器件封装体还包括被耦合到所述第一天线的天线馈线，

其中所述天线馈线的宽度约为90μm，

其中所述第一开口的宽度约为150μm，

其中所述第一天线的宽度约为850μm，并且所述第一天线的长度约为1500μm，

其中所述第一层压层的垂直厚度在20μm和200μm之间，以及

其中所述第二层压层的垂直厚度在40μm和400μm之间。