[发明专利]一种用于大尺寸圆棒硅单晶多线切割后脱胶的装置及工艺在审

专利信息
申请号: 201711398836.1 申请日: 2017-12-21
公开(公告)号: CN109940771A 公开(公告)日: 2019-06-28
发明(设计)人: 苏冰;安瑞阳;王新;曲翔;史训达 申请(专利权)人: 有研半导体材料有限公司
主分类号: B28D5/00 分类号: B28D5/00
代理公司: 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 代理人: 刘秀青
地址: 101300 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 固定板 弧形滑槽 脱胶 多线切割 硅单晶 滑动杆 支撑杆 晶圆 圆棒 溶液温度控制 固定支撑 晶圆表面 可拆卸的 两端插片 溶液配置 脱胶过程 轴向调整 轴向定位 装置固定 滑动 出片率 预清洗 硅片 切片 崩边 插片 单晶 晶棒 裂片 平行 对称
【权利要求书】:

1.一种用于大尺寸圆棒硅单晶多线切割后脱胶的装置,其特征在于,包括两个固定板、两根支撑杆、两根滑动杆及两个可拆卸的插片,

两个固定板之间通过两根支撑杆固定支撑,每个固定板上均对称的设有两个弧形滑槽,同一固定板上的两个弧形滑槽所在的圆的尺寸与晶圆尺寸相当;两根滑动杆相互平行的设置在两个固定板之间,其端部位于弧形滑槽内,并可沿弧形滑槽滑动;通过将两根滑动杆滑动至弧形滑槽的底部,来限制晶圆沿径向的移动;

两个插片的端部均具有用于连接支撑杆的开槽,通过将支撑杆插入开槽中,来限制晶圆沿轴向方向的移动。

2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述两个固定板之间设有把手。

3.一种使用权利要求1所述的装置对晶圆进行脱胶的工艺,其特征在于,包括以下步骤:

(1)将SC-1、脱胶剂以及纯水按体积比进行混合,其中,SC-1的比例为0.8%-2.5%,脱胶剂的比例为1%-3%,剩余部分均为纯水;

(2)将混合溶液的温度控制在50-75℃之间;

(3)将晶圆固定在装置上;

(4)将装置及晶圆整体置于混合溶液中,脱胶完成后将装置及晶圆整体取出。

4.根据权利要求3所述的工艺,其特征在于,所述SC-1为NH4OH和H2O2按体积比NH4OH∶H2O2=1∶1的混合液。

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