[发明专利]一种SQUID平面梯度计芯片的封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种SQUID平面梯度计芯片的封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：

提供一SQUID平面梯度计芯片；

于所述SQUID平面梯度计芯片的下方设置至少一层缓冲层；

于所述缓冲层的下方设置一基板，并于所述基板上制作与所述SQUID平面梯度计芯片的电极电性连接的引出电极；以及

于所述基板上设置一封装盖板，其中，所述SQUID平面梯度计芯片及所述缓冲层均封装于所述封装盖板内。

2.根据权利要求1所述的SQUID平面梯度计芯片的封装方法，其特征在于，所述SQUID平面梯度计芯片包括：

衬底；

形成于所述衬底上的SQUID结构，其中，所述SQUID结构包括SQUID及与所述SQUID电性连接的电极；以及

形成于所述衬底上、且通过电感与所述SQUID感性连接的梯度天线。

3.根据权利要求2所述的SQUID平面梯度计芯片的封装方法，其特征在于，所述缓冲层的结构与所述衬底的结构相同，且所述缓冲层的材质与所述衬底的材质相同。

4.根据权利要求3所述的SQUID平面梯度计芯片的封装方法，其特征在于，所述封装方法还包括：采用点胶方式于所述SQUID平面梯度计芯片及所述缓冲层之间形成第一粘合结构；采用点胶方式于所述缓冲层之间形成第二粘合结构；采用点胶方式或涂覆方式于所述缓冲层及所述基板之间形成第三粘合结构；采用涂覆方式于所述封装盖板及所述基板之间形成第四粘合结构。

5.根据权利要求4所述的SQUID平面梯度计芯片的封装方法，其特征在于，所述第一粘合结构为单点胶结构，所述第二粘合结构为双点胶结构，所述第三粘合结构为双点胶结构或胶层结构，所述第四粘合结构为胶层结构。

6.根据权利要求4或5所述的SQUID平面梯度计芯片的封装方法，其特征在于，所述第一粘合结构、所述第二粘合结构、所述第三粘合结构及所述第四粘合结构均由低温胶水形成，其中，所述低温胶水的热膨胀系数与所述衬底的热膨胀系数相同。

7.根据权利要求1所述的SQUID平面梯度计芯片的封装方法，其特征在于，所述缓冲层的数量为1层或2层。

8.根据权利要求1所述的SQUID平面梯度计芯片的封装方法，其特征在于，所述封装盖板的材质包括环氧树脂、石英、或蓝宝石。

9.一种SQUID平面梯度计芯片的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：

SQUID平面梯度计芯片；

设置于所述SQUID平面梯度计芯片下方的至少一层缓冲层；

设置于所述缓冲层下方的基板；

形成于所述基板上、且与所述SQUID平面梯度计芯片的电极电性连接的引出电极；以及

设置于所述基板上的封装盖板，其中，所述SQUID平面梯度计芯片及所述缓冲层均封装于所述封装盖板内。

10.根据权利要求9所述的SQUID平面梯度计芯片的封装结构，其特征在于，所述SQUID平面梯度计芯片包括：

衬底；

形成于所述衬底上的SQUID结构，其中，所述SQUID结构包括SQUID及与所述SQUID电性连接的电极；以及

形成于所述衬底上、且通过电感与所述SQUID感性连接的梯度天线。

11.根据权利要求10所述的SQUID平面梯度计芯片的封装结构，其特征在于，所述缓冲层的结构与所述衬底的结构相同，且所述缓冲层的材质与所述衬底的材质相同。

12.根据权利要求11所述的SQUID平面梯度计芯片的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：形成于所述SQUID平面梯度计芯片及所述缓冲层之间的第一粘合结构；形成于所述缓冲层之间的第二粘合结构，形成于所述缓冲层与所述基板之间的第三粘合结构，形成于所述封装盖板与所述基板之间的第四粘合结构。