[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法和显示装置有效
| 申请号： | 201711401682.7 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108269854B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 朴镇成;玉敬喆;韩基林;裵鐘旭;李胜敏;白朱爀 | 申请（专利权）人： | 汉阳大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34;H01L27/32;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种制造薄膜晶体管基板的方法，包括：
在基础基板上形成第一保护膜；
在所述第一保护膜上形成氧化物半导体层，其中所述第一保护膜包括按顺序沉积的第一硅氧化物层、硅氮化物层及第二硅氧化物层；
形成源极电极和漏极电极，所述源极电极和所述漏极电极彼此以预定间隔设置并且与所述氧化物半导体层连接；
形成栅极电极，所述栅极电极与所述氧化物半导体层绝缘并且与所述氧化物半导体层的至少一部分部分地交叠；以及
在小于350℃的温度执行热处理，
其中，所述第一硅氧化物层的厚度小于所述第二硅氧化物层的厚度，
所述氧化物半导体层具有2.4at％(原子百分比)～2.6at％的氢含量。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述氧化物半导体层中注入氢。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述氧化物半导体层上形成第二保护膜。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一保护膜和所述第二保护膜中的任意一个具有0.7at％～0.8at％的氢含量，并且所述第一保护膜和所述第二保护膜中的另一个具有3.0at％～3.1at％的氢含量。
5.根据权利要求3所述的方法，还包括在形成所述第二保护膜之后执行热处理。
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