[发明专利]相变化记忆体有效
| 申请号： | 201711403141.8 | 申请日： | 2015-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN108123035B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 苏水金 | 申请（专利权）人： | 江苏时代全芯存储科技股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 相变 记忆体 | ||
1.一种相变化记忆体，其特征在于，包含：
一下电极，耦接一主动元件；
一阻障件，位于该下电极上方；
一加热器，嵌于该阻障件中，且该加热器具有一第一侧面、一第二侧面、一第三侧面、一第四侧面、及一底面，其中该第一侧面与该第二侧面相对，该第三侧面与该第四侧面相对，且该第三侧面相邻该第一侧面及该第二侧面，该阻障件覆盖该加热器的该第一侧面、该第二侧面、及该底面；
一第一绝缘层，覆盖该阻障件与该加热器，该第一绝缘层暴露该加热器的该第三侧面及该第四侧面；
一上电极，位于该第一绝缘层上方；以及
一环状相变化层，围绕该第一绝缘层与该上电极，其中该环状相变化层接触该加热器的该第三侧面及该第四侧面。
2.根据权利要求1所述的相变化记忆体，其特征在于，还包含至少两间隙壁，其中该第一绝缘层覆盖所述间隙壁，且该阻障件与该加热器夹设于所述间隙壁之间。
3.根据权利要求1所述的相变化记忆体，其特征在于，该第三侧面的宽度介于25纳米至30纳米。
4.根据权利要求1所述的相变化记忆体，其特征在于，该下电极包含钛、氮化钛、氮化钽、氮化铝钛、氮化铝钽、或其组合；该第一绝缘层包含氧化物、氮化物、氮氧化物或其组合。
5.根据权利要求1所述的相变化记忆体，其特征在于，该环状相变化层包含锗锑碲(GST)、氮掺杂锗锑碲(nitrogen-doped GST)、碲化锑(Sb2Te)、锗化锑(GeSb)、铟掺杂碲化锑(In-doped Sb2Te)或其组合。
6.根据权利要求1所述的相变化记忆体，其特征在于，该加热器的厚度小于或等于3纳米。
7.根据权利要求1所述的相变化记忆体，其特征在于，该加热器包含钛、氮化钛、氮化钽、氮化铝钛、氮化铝钽或其组合。
8.根据权利要求1所述的相变化记忆体，其特征在于，该阻障件包含氮化钽、氮化铝钽或其组合。
9.根据权利要求1所述的相变化记忆体，其特征在于，还包含一导电接触，该下电极经由该导电接触耦接该主动元件。
10.根据权利要求5所述的相变化记忆体，其特征在于，该锗锑碲为Ge2Sb2Te5或Ge3Sb6Te5，该氮掺杂锗锑碲为nitrogen-doped Ge2Sb2Te5。
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