[发明专利]一种用于提升TEM全介质滤波器性能的结构在审
| 申请号： | 201711403826.2 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN109962322A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 孟庆南;朱晖 | 申请（专利权）人： | 香港凡谷發展有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/208 | 分类号： | H01P1/208 |
| 代理公司： | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人： | 黄行军 |
| 地址： | 430200 湖北省武汉市江夏区东湖新*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 滤波器 全介质 谐振孔 介质腔体 银层 焊接 信号屏蔽 金属片 孔径控制 频率需求 体材料 有效地 内壁 形腔 制造 | ||
1.一种用于提升TEM全介质滤波器性能的结构，包括介质腔体块(1)、信号屏蔽金属片(2)和PCB基板(3)，所述介质腔体块(1)与所述PCB基板(3)焊接，所述信号屏蔽金属片(2)一端与所述介质腔体块(1)焊接、另一端与所述PCB基板(3)焊接，所述介质腔体块(1)上设置有谐振孔(4)，其特征在于：所述谐振孔(4)的内壁上镀有银层(5)，所述银层(5)的深度小于谐振孔(4)的深度的2/3。
2.根据权利要求1所述的用于提升TEM全介质滤波器性能的结构，其特征在于：当所述谐振孔(4)为圆孔且所述介质腔体块(1)的介电常数为6.8-80且所述谐振孔(4)的孔径与所述介质腔体块(1)的单腔边长的比值为0.1-0.3时，所述银层(5)的深度与谐振孔(4)的深度比值为0.2-0.8。
3.根据权利要求1所述的用于提升TEM全介质滤波器性能的结构，其特征在于：当所述谐振孔(4)为圆孔且所述介质腔体块(1)的介电常数为6.8-80且所述谐振孔(4)的孔径与所述介质腔体块(1)的单腔边长的比值为0.1-0.45时，所述银层(5)的深度与谐振孔(4)的深度比值为0.3-0.8。
4.根据权利要求1所述的用于提升TEM全介质滤波器性能的结构，其特征在于：当所述谐振孔(4)为方孔且所述介质腔体块(1)的介电常数为6.8-80且所述谐振孔(4)的边长与所述介质腔体块(1)的单腔边长的比值为0.1-0.3时，所述银层(5)的深度与谐振孔(4)的深度比值为0.2-0.8。
5.根据权利要求1所述的用于提升TEM全介质滤波器性能的结构，其特征在于：当所述谐振孔(4)为方孔且所述介质腔体块(1)的介电常数为6.8-80且所述谐振孔(4)的边长与所述介质腔体块(1)的单腔边长的比值为0.1-0.45时，所述银层(5)的深度与谐振孔(4)的深度比值为0.3-0.8。
6.根据权利要求1所述的用于提升TEM全介质滤波器性能的结构，其特征在于：所述介质腔体块(1)为正方形或长方形，所述介质腔体块(1)与信号屏蔽金属片(2)焊接的一侧端面设置有电路，所述介质腔体块(1)的其余端面镀有银层。
7.根据权利要求1所述的用于提升TEM全介质滤波器性能的结构，其特征在于：所述介质腔体块(1)为一整块介质材料成型，所述介质腔体块(1)上间隔布置有多个所述谐振孔(4)。
8.根据权利要求1所述的用于提升TEM全介质滤波器性能的结构，其特征在于：所述介质腔体块(1)由多个谐振单块拼接而成，所述谐振单块上设置有所述谐振孔(4)。
9.根据权利要求1所述的用于提升TEM全介质滤波器性能的结构，其特征在于：所述信号屏蔽金属片(2)为L形。
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