[发明专利]一次性可编程非易失性熔丝存储单元

权利要求书

1.一种一次性可编程非易失性熔丝存储单元，其特征在于，包括：

PMOS晶体管，所述PMOS晶体管的栅极连接于编程电压，所述PMOS晶体管的源极、漏极和N阱连接在一起，以形成第一连接点；

第一NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管的栅极连接于控制信号，所述第一NMOS晶体管的源极连接于所述第一连接点；

其中，当所述第一NMOS晶体管在所述控制信号的控制下被打开时，将大于阈值电压的所述编程电压施加到所述PMOS晶体管的栅极，并保持预定时间段，以改变所述PMOS晶体管的至少一个物理特性，并使所述第一连接点输出的逻辑电平被改变。

2.根据权利要求1所述的熔丝存储单元，其特征在于，所述熔丝存储单元形成于CMOS工艺。

3.根据权利要求1所述的熔丝存储单元，其特征在于，所述熔丝存储单元还包括至少一个高压保护晶体管，所述第一NMOS晶体管的源极通过所述高压保护晶体管连接于所述第一连接点。

4.根据权利要求3所述的熔丝存储单元，其特征在于，所述高压保护晶体管包括第二NMOS晶体管。

5.根据权利要求4所述的熔丝存储单元，其特征在于，所述第二NMOS晶体管的栅极连接于电源电压，所述第二NMOS晶体管的源极连接于所述PMOS晶体管的漏极，所述第二NMOS晶体管的漏极连接于所述第一NMOS晶体管的源极。

6.根据权利要求1所述的熔丝存储单元，其特征在于，所述第一NMOS晶体管的漏极和P阱连接在一起，以形成第二连接点，所述第二连接点接地。

7.根据权利要求1所述的熔丝存储单元，其特征在于，所述熔丝存储单元包括输出端，所述输出端连接于所述第一连接点。

8.根据权利要求1至7任一项所述的熔丝存储单元，其特征在于，通过击穿所述PMOS晶体管的栅氧化物以改变所述PMOS晶体管的至少一个物理特性。

9.根据权利要求8所述的熔丝存储单元，其特征在于，所述阈值电压为使所述PMOS晶体管的栅氧化物被击穿的击穿电压。

10.一种一次性可编程非易失性熔丝存储单元，其特征在于，包括：

NMOS晶体管，所述NMOS晶体管的栅极连接于编程电压，所述PMOS晶体管的源极、漏极和P阱连接在一起，以形成连接点；

PMOS晶体管，所述PMOS晶体管的栅极连接于控制信号，所述PMOS晶体管的源极连接于所述连接点；

其中，当所述PMOS晶体管在所述控制信号的控制下被打开时，将大于阈值电压的所述编程电压施加到所述NMOS晶体管的栅极，并保持预定时间段，以改变所述NMOS晶体管的至少一个物理特性，并使所述连接点输出的逻辑电平被改变。

11.一种一次性可编程非易失性熔丝存储单元，其特征在于，包括：

PMOS晶体管，所述PMOS晶体管的栅极连接于编程电压，所述PMOS晶体管的源极、漏极和N阱连接在一起，以形成连接点；

NMOS晶体管，所述NMOS晶体管的栅极连接于控制信号，所述NMOS晶体管的漏极连接于所述连接点；

其中，当所述NMOS晶体管在所述控制信号的控制下被打开时，将大于阈值电压的所述编程电压施加到所述PMOS晶体管的栅极，并保持预定时间段，以改变所述PMOS晶体管的至少一个物理特性，并使所述连接点输出的逻辑电平被改变。