[发明专利]一种复合隔离膜，其制备方法及电化学装置

权利要求书

1.一种复合隔离膜，其特征在于，

所述复合隔离膜包括多孔基材和至少设置于所述多孔基材一侧的多孔无机介电层，

所述多孔无机介电层不含粘结剂；

所述多孔无机介电层的厚度D₁为20nm ~2000nm，且所述多孔无机介电层的厚度D₁与所述多孔基材的平均孔径D₂满足：0.3≤D₁/D₂≤40；

所述多孔无机介电层为纳米团簇堆积的多孔结构，所述纳米团簇为平均直径为10nm~200nm的无机介电材料的纳米晶粒；

在所述多孔基材的一个表面上，所述多孔无机介电层均匀包覆于所述表面和所述表面上的至少一部分孔洞的内壁上；

所述多孔无机介电层包覆所述孔洞的深度为所述多孔基材厚度的1/50~1/20；

所述多孔无机介电层与所述多孔基材界面的剥离力不低于30N/m；

所述复合隔离膜的透气度在100s~280s之间；

所述复合隔离膜的90℃下单独放置1h后，横向热收缩率和纵向热收缩率均低于3%。

2.根据权利要求1所述的复合隔离膜，其特征在于，所述纳米团簇之间形成供离子穿梭的孔隙，所述孔隙的平均孔径为0.1nm~20nm。

3.根据权利要求1所述的复合隔离膜，其特征在于，所述多孔无机介电层的孔隙率为10%~60%。

4.根据权利要求1所述的复合隔离膜，其特征在于，所述多孔无机介电层为由气相沉积方法制备而成。

5.根据权利要求4所述的复合隔离膜，其特征在于，所述气相沉积方法选自原子层沉积法、化学气相沉积法、物理气相沉积法、热蒸发法中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的复合隔离膜，其特征在于，

所述多孔无机介电层中含有Al的氧化物、AlO(OH)、Al的氮化物、Al的氟化物、Si的氧化物、Si的氮化物、Si的氟化物、Ti的氧化物、Ti的氮化物、Ti的氟化物、Zn的氧化物、Zn的氮化物、Zn的氟化物、Mg的氧化物、Mg的氮化物、Mg的氟化物、Zr的氧化物、Zr的氮化物、Zr的氟化物、Ca的氧化物、Ca的氮化物、Ca的氟化物、Ba的氧化物、Ba的氮化物、Ba的氟化物中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的复合隔离膜，其特征在于，所述多孔基材的材料选自聚乙烯、聚丙烯、聚偏氟乙烯、芳纶、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚四氟乙烯、聚丙烯腈、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酯和天然纤维中的至少一种。

8.根据权利要求7所述的复合隔离膜，其特征在于，所述多孔基材的厚度为5μm~50μm。

9.根据权利要求8所述的复合隔离膜，其特征在于，所述多孔基材的厚度为8μm~30μm。

10.根据权利要求9所述的复合隔离膜，其特征在于，所述多孔基材的厚度为10μm ~20μm。

11.根据权利要求7所述的复合隔离膜，其特征在于，所述多孔基材的孔隙率为20%~80%。

12.根据权利要求11所述的复合隔离膜，其特征在于，所述多孔基材的孔隙率为40%~70%。

13.根据权利要求1所述的复合隔离膜，其特征在于，所述多孔基材的平均孔径D₂为0.02μm ~4μm。

14.根据权利要求13所述的复合隔离膜，其特征在于，所述多孔基材的平均孔径D₂为0.06μm ~4μm。