[发明专利]一种长爬电光电耦合器的制备工艺在审
申请号: | 201711406926.0 | 申请日: | 2017-12-22 |
公开(公告)号: | CN108155106A | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 黄伟鹏 | 申请(专利权)人: | 珠海市大鹏电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/52 | 分类号: | H01L21/52;H01L21/54;H01L25/16 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 俞梁清 |
地址: | 519100 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接收芯片 引线框架 预留区域 次高温 发射 光电耦合器 烘烤固化 制备工艺 爬电 预置 预制 焊点 安全可靠性 环氧树脂胶 导电银胶 镀锡保护 金属引脚 绝缘保护 绝缘材质 内部填充 气孔现象 填充树脂 外壳内部 弯折成型 制备模具 再使用 烘烤 点胶 放入 硅胶 耐压 引脚 填充 焊接 模具 挤压 | ||
本发明公开了一种长爬电光电耦合器的制备工艺,包括下列步骤:将引线框架放入制备模具,向模具内挤压填充树脂胶,进行外壳预制备,形成预置外壳,预置外壳内部的引线框架上设置有发射及接收芯片预留区域;在预留区域上点上导电银胶,然后放置发射及接收芯片,进行第一次高温烘烤固化;将发射及接收芯片的焊点与引线框架焊接;在发射及接收芯片区域点胶,并第二次高温烘烤;使用环氧树脂胶将外壳内预留区域完全填充,进行第三次高温烘烤固化;对金属引脚镀锡保护;产品引脚进行弯折成型。本发明在引线框架外设置预制备外壳,再使用硅胶进行内部填充绝缘保护,杜绝内部绝缘材质产生气孔现象,有效提高产品耐压安全可靠性。
技术领域
本发明涉及光电耦合器技术领域,具体涉及一种长爬电光电耦合器的制备工艺。
背景技术
长爬电光电耦合器属于安全器件,内部空间中高低压功能区≥0.4mm的绝缘间隙使用高耐压绝缘材质填充,以提供良好的耐压绝缘性能,长爬电结构的设计理念就是加大内部绝缘距离,传统制备式长爬电光电耦合器因制备过程的耐压材质与模具填充存在气孔问题无法杜绝,导致产品内部实际的耐压绝缘距离无法保证,气孔问题会造成高低压功能区耐压材质厚度不足,产品的安全性能存在隐患。
发明内容
基于现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种长爬电光电耦合器的制备工艺,通过该制备工艺制备的长爬电光电耦合器解决了产品内部气孔问题,使产品的性能更加优良,耐压安全可靠性更强。
为实现上述目的,本发明的技术方案为:
一种长爬电光电耦合器的制备工艺,其特征在于包括下列步骤:
(1)制作预置外壳,将长爬电光电耦合器的引线框架放入制备模具,向模具内挤压填充树脂胶,进行外壳预制备,形成含有发射及接收芯片放置入口的预置外壳,预置外壳内部的引线框架上设置有发射及接收芯片预留区域;
(2)固晶,在预留区域的引线框架上点上导电银胶,然后在导电银胶上放置发射及接收芯片;
(3)第一次高温烘烤固化,使导电银胶将芯片粘结固化在引线框架上;
(4)焊线,将发射及接收芯片的焊点与引线框架焊接;
(5)点胶,在发射及接收芯片区域点胶,利用硅胶7的流动性及聚变性,将发射及接收芯片完全包裹保护起来;
(6)第二次高温烘烤,将硅胶进一步固化;
(7)白胶点胶,使用液态白色环氧树脂胶将外壳内预留区域完全填充;
(8)丝印刮平,对产品表面白胶进行丝印刮平;
(9)第三次高温烘烤固化,使制备的环氧树脂彻底固化;
(10)对金属引脚镀锡保护;
(11)最后对产品引脚进行弯折成型。
进一步的,在步骤(11)对产品引脚进行弯折成型后还包括对产品进行性能测试。
进一步的,步骤(3)中第一次高温烘烤固化是在160℃~180℃恒温烘烤箱中烘烤2~3个小时。
进一步的,步骤(4)中将发射及接收芯片的焊点与引线框架焊接采用的焊接方式是使用合金线并利用超声波将焊点与引线框架焊接。
进一步的,步骤(5)中在发射及接收芯片区域点胶的方式采用针筒气压挤出方式将硅胶点至发射及接收芯片所在区域。
进一步的,步骤(6)中第二次高温烘烤固化是在160℃~180℃恒温烘烤箱中烘烤3~4个小时。
进一步的,步骤(9)中第三次高温烘烤固化是在160℃~180℃恒温烘烤箱中烘烤8~9小时。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造