[发明专利]分布式回馈激光结构与制作方法

权利要求书

1.一种分布式回馈激光结构，能够产生具有一激光波长的激光，其特征在于，该分布式回馈激光结构包括：

一半导体堆栈结构，在接受一电流时产生具有该激光波长的该激光，并使该激光自该半导体堆栈结构的一出光面射出，且该出光面位于该半导体堆栈结构的一侧面；

一光栅层，位于该半导体堆栈结构上方，该光栅层具有沿着一水平方向排列的多个微光栅结构，该多个微光栅结构的间隔等于该激光波长的二分之一；

一脊部结构，位于该光栅层的上方；

一第一抗反射层，位于该半导体堆栈结构侧面的该出光面；以及

一第二抗反射层，位于该半导体堆栈结构相对于该出光面的另一侧面；

其中，该光栅层在该水平方向上被区分为一第一光栅区、一相位差光栅结构、一第二光栅区以及一无光栅区；其中，该出光面邻靠于该第二光栅区；该相位差光栅结构位于该第一光栅区与该第二光栅区的相邻接处，且该相位差光栅结构的宽度能够提供一相位差距离，使得位于该第一光栅区内的微光栅结构与位于该第二光栅区内的微光栅结构两者间具有一相位差；并且，该无光栅区位于该第二光栅区内，且该无光栅区中不包含该微光栅结构；

该相位差光栅结构所提供的该相位差距离等于四分之一该激光波长；此外，该无光栅区的宽度大于10倍的该激光波长，该无光栅区的宽度是二分之一该激光波长的整数倍且不改变该第二光栅区内的微光栅结构的相位；

该第一光栅区的宽度大于或等于该光栅层的总宽度的三分之一，包含了该无光栅区的该第二光栅区的宽度是大于或等于该第一光栅区的宽度，且该无光栅区的宽度小于或等于该光栅层的总宽度的三分之一。

2.如权利要求1所述的分布式回馈激光结构，其特征在于，该相位差光栅结构位于该光栅层于该水平方向上的中间处，使得该第一光栅区的宽度和包含了该无光栅区的该第二光栅区的宽度相同。

3.如权利要求1所述的分布式回馈激光结构，其特征在于，该无光栅区的宽度介于六分之一至三分之一的该光栅层的总宽度。

4.如权利要求1所述的分布式回馈激光结构，其特征在于，整个该光栅层的一总宽度的一耦合强度值κL是介于2至5之间；其中，κ为Kappa，L是指整个光栅层的总宽度；该第一光栅区具有一第一耦合强度值，该第二光栅区除了该无光栅区之外的区域具有一第二耦合强度值，该无光栅区具有一第三耦合强度值；其中，该第一耦合强度值大于该第二耦合强度值且该第二耦合强度值大于该第三耦合强度值；其中，该第三耦合强度值等于0。

5.如权利要求1所述的分布式回馈激光结构，其特征在于，该半导体堆栈结构包括：

一半导体基板；

一下披覆层，位于该半导体基板上；

一下光局限层，位于该下披覆层上；

一主动层，位于该下光局限层上；

一上光局限层，位于该主动层上；以及

一间隔层，位于该上光局限层上；

其中，该光栅层位于该间隔层上；

其中，该脊部结构位于该光栅层上，且更包括一上披覆层位于该光栅层上以及一接触层位于该上披覆层上。

6.如权利要求5所述的分布式回馈激光结构，其特征在于，该第一抗反射层与该第二抗反射层的光反射率低于1％。